[發明專利]一種四元系透明襯底發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201711048315.3
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN107808917B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 李波;楊凱;鄒微微;徐洲;張雙翔
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/30
• 分類號: H01L33/30;H01L33/26;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

1.一種四元系透明襯底發光二極管制作方法，其特征在于，包括：

提供四元系發光二極管外延片和透明襯底，所述四元系發光二極管外延片包括襯底、發光二極管的外延結構和GaP層；

對所述GaP層進行粗化；

在粗化后的所述GaP層表面形成漸變折射率復合薄膜層，所述漸變折射率復合薄膜層背離所述GaP層的表面為旋涂玻璃SOG鍵合層，所述漸變折射率復合薄膜層包括層疊設置的多層薄膜層，所述多層薄膜層的折射率沿所述GaP層至所述SOG鍵合層逐漸降低；

在所述透明襯底上形成鍵合層；

對所述SOG鍵合層和所述鍵合層分別進行平坦化處理，并清洗后進行表面活化處理；

將所述鍵合層與所述SOG鍵合層鍵合，得到半成品；

去除所述半成品背離所述透明襯底一側的襯底，完成四元系透明襯底發光二極管的制作。

2.根據權利要求1所述的四元系透明襯底發光二極管制作方法，其特征在于，所述對所述GaP層進行粗化，具體包括：

采用機械研磨方式對所述GaP層表面進行粗化。

3.根據權利要求1所述的四元系透明襯底發光二極管制作方法，其特征在于，所述漸變折射率復合薄膜層包括SOG鍵合層，以及氮化硅層、氧化鋁層、氧化鋅層、氧化鈦層、MgF₂層、GaF₂層和氧化銦錫層中的至少一種。

4.根據權利要求2或3所述的四元系透明襯底發光二極管制作方法，其特征在于，所述漸變折射率復合薄膜層包括位于所述GaP層表面的氧化銦錫層和位于所述氧化銦錫層背離所述GaP層的所述SOG鍵合層。

5.根據權利要求4所述的四元系透明襯底發光二極管制作方法，其特征在于，所述在粗化后的所述GaP層表面形成漸變折射率復合薄膜層，具體包括：

在粗化后的所述GaP層表面使用電子束蒸鍍或者濺射方式沉積一層氧化銦錫層；

將沉積有氧化銦錫層的四元系發光二極管外延片放置在氧化銦錫粗化液中粗化，其中，粗化深度不大于沉積的所述氧化銦錫層厚度；

在粗化后的氧化銦錫層表面沉積SOG鍵合層。

6.根據權利要求1-3、5任意一項所述的四元系透明襯底發光二極管制作方法，其特征在于，所述鍵合層為SOG鍵合層或氧化硅層。

7.根據權利要求6所述的四元系透明襯底發光二極管制作方法，其特征在于，當所述鍵合層為SOG鍵合層時；

所述對所述SOG鍵合層和所述鍵合層分別進行平坦化處理，并清洗后進行表面活化處理，具體包括：

對所述SOG鍵合層和所述鍵合層分別拋光、以及化學機械研磨方式平坦化，平坦度粗糙值要求至Ra<lnm；

清洗所述SOG鍵合層和所述鍵合層的表面，并烤干；

將清洗后的四元系發光二極管外延片和透明襯底進行表面活化處理。

8.根據權利要求7所述的四元系透明襯底發光二極管制作方法，其特征在于，所述將清洗后的四元系發光二極管外延片和透明襯底進行表面活化處理，具體包括：

將清洗后的四元系發光二極管外延片和透明襯底均在氧等離子體中進行處理；

將氧等離子體處理后的四元系發光二極管外延片和透明襯底放置在活化溶液中活化，所述活化溶液的溫度為70℃，所述活化溶液為NH₄OH：H₂O₂：H₂O＝1：1：5，其中，比例為摩爾質量比。