[發明專利]一種雙柵極三維存儲器及其制作方法有效
| 申請號： | 201711048074.2 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN107799527B | 公開（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發明（設計）人： | 靳磊;楊陳辰;姜丹丹;霍宗亮;鄒興奇;張易;張瑜 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/11524 | 分類號： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 柵極 三維 存儲器 及其 制作方法 | ||
1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：
TSG以及存儲單元；
所述三維存儲器中開設有兩個溝道，每個所述溝道上形成一個摻雜塞；
兩個所述摻雜塞之間設置有柵極結構，所述柵極結構使兩個摻雜塞互相絕緣。
2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，每個所述溝道中無填充摻雜物。
3.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，沿垂直于所述存儲單元的方向上，所述柵極結構的長度大于所述摻雜塞的長度。
4.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，沿垂直于所述存儲單元的方向上，所述柵極結構的長度小于所述溝道的深度。
5.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述摻雜塞為N+摻雜塞。
6.一種三維存儲器的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成存儲單元以及TSG；
并對所述三維存儲器開設有兩個溝道；
在每個所述溝道上形成一個摻雜塞；
在兩個所述摻雜塞之間形成柵極結構，所述柵極結構使兩個摻雜塞互相絕緣。
7.根據權利要求6所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于，每個所述溝道中無填充摻雜物。
8.根據權利要求6所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于，
在沿垂直于所述存儲單元的方向上，形成長度大于所述摻雜塞的長度的柵極結構。
9.根據權利要求6所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于，
在沿垂直于所述存儲單元的方向上，形成長度小于所述溝道的深度的柵極結構。
10.根據權利要求6所述的三維存儲器的制作方法，其特征在于，
在每個所述溝道上形成一個N+摻雜塞。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
