[發明專利]一種區熔硅拋光片用拋光設備的清洗方法在審
| 申請號： | 201711048058.3 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN107855936A | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發明（設計）人： | 魏艷軍;由佰玲;呂瑩;武衛;徐榮清 | 申請（專利權）人： | 天津中環領先材料技術有限公司 |
| 主分類號： | B24B53/017 | 分類號： | B24B53/017;C11D3/60;C11D3/20;C11D3/39;C11D3/04 |
| 代理公司： | 天津濱海科緯知識產權代理有限公司12211 | 代理人： | 李納 |
| 地址： | 300384 天津市濱海新區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 區熔硅 拋光 設備 清洗 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種區熔硅拋光片用拋光設備的清洗方法，其特征在于：所述拋光設備的清洗方法是先采用海綿頭配合清洗液進行清洗，然后采用去離子水沖洗，最后用拋光液淋洗。
2.根據權利要求1所述的區熔硅拋光片用拋光設備的清洗方法，其特征在于：所述清洗液的配方按重量份計包括有機酸5～10份、pH調節劑1～3份、表面活性劑0.1～1份、氧化劑5～10份和載體30～50份。
3.根據權利要求1所述的區熔硅拋光片用拋光設備的清洗方法，其特征在于：所述海綿頭材為納米吸水海綿。
4.根據權利要求2所述的區熔硅拋光片用拋光設備的清洗方法，其特征在于：所述有機酸為檸檬酸。
5.根據權利要求2所述的區熔硅拋光片用拋光設備的清洗方法，其特征在于：所述氧化劑為雙氧水，所述pH調節劑為氨水。
6.根據權利要求2所述的區熔硅拋光片用拋光設備的清洗方法，其特征在于：所述載體為去離子水或去離子水與乙醇的混合溶液。
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