[發(fā)明專利]一種高頻寬帶壓控振蕩器及其運作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711047837.1 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN107623492A | 公開（公告）日： | 2018-01-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔣品群;宋樹祥;王曉然;連天培;龐中秋 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣西師范大學(xué) |
| 主分類號： | H03B5/04 | 分類號： | H03B5/04;H03B5/12 |
| 代理公司： | 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11212 | 代理人： | 楊立,周玉婷 |
| 地址： | 541004 廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高頻 寬帶 壓控振蕩器 及其 運作 方法 | ||
1.一種高頻寬帶壓控振蕩器，其特征在于，包括：
輸入緩沖單元(1)，接入控制電壓，將電壓信號傳輸至諧振單元(2)；
諧振單元(2)，用于根據(jù)電壓信號產(chǎn)生振蕩信號，將振蕩信號傳輸至輸出緩沖單元(3)；
輸出緩沖單元(3)，用于對振蕩信號進行緩沖，并輸出振蕩信號；
負阻單元(4)，用于產(chǎn)生負阻，利用負阻產(chǎn)生的能量補償諧振單元(2)的損耗；
尾電流源單元(5)，用于產(chǎn)生工作電流，阻止諧振回路中電流的二次諧波分量進入地，抑制偶次諧波附近的噪聲，將工作電流通過負阻單元(4)傳輸至諧振單元(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高頻寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述輸入緩沖單元(1)包括電感L2，所述電感L2的一端接入控制電壓，另一端與諧振單元(2)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種高頻寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述諧振單元(2)包括電感L1、電容C1、電容C2、NMOS管M3和NMOS管M4，所述NMOS管M3的源極和漏極相連，并與所述電感L1的一端連接；所述NMOS管M4的源極和漏極相連，并與所述電感L1的另一端連接；所述NMOS管M3的柵極和NMOS管M4的柵極均與所述電感L2連接；所述電容C1和電容C2串聯(lián)，所述電容C1和電容C2串聯(lián)后與所述電感L1并聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高頻寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述輸出緩沖單元(3)包括NMOS管M7、NMOS管M8、電容C3、電容C4、電感L3、電感L4、電阻R1和電阻R2，所述NMOS管M7的漏極經(jīng)電阻R1與電源VDD連接；所述NMOS管M7的柵極與所述電感L1的一端連接；所述NMOS管M7的源極接地；所述電容C4的兩端分別與所述NMOS管M7的漏極和源極連接；所述電感L3的一端與NMOS管M7的漏極連接，另一端與第一輸出端連接；
所述NMOS管M8的漏極經(jīng)電阻R2與電源VDD連接；所述NMOS管M8的柵極與所述電感L1的另一端連接；所述NMOS管M8的源極接地；所述電容C3的兩端分別與所述NMOS管M8的漏極和源極連接；所述電感L4的一端與NMOS管M7的漏極連接，另一端與第二輸出端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高頻寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述負阻單元(4)包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M5和NMOS管M6；所述PMOS管M1和PMOS管M2的漏極均與電源VDD連接，所述PMOS管M1的源極與所述PMOS管M2的柵極連接，所述PMOS管M2的源極與所述PMOS管M1的柵極連接，所述PMOS管M1的源極與所述電感L1的一端連接，和所述PMOS管M2的源極分別與所述電感L1的兩另一端連接；
所述NMOS管M5和NMOS管M6的源極均與所述尾電流源單元(5)連接，所述NMOS管M5的柵極與所述NMOS管M6的源極連接，所述NMOS管M6的柵極與所述NMOS管M5的源極連接，所述NMOS管M5和NMOS管M6的漏極分別與所述電感L1的兩端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種高頻寬帶壓控振蕩器，其特征在于，所述尾電流源單元(5)包括NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、電容C5、電容C6和電感L5，所述NMOS管M9的源極與NMOS管M10的漏極相連，所述NMOS管M9的源極接入電流源I in；所述NMOS管M9的柵極與所述NMOS管M10的柵極相連，并與NMOS管M11的柵極連接；所述NMOS管M9的漏極、NMOS管M11的柵極、NMOS管M12的柵極和NMOS管M13的柵極均接入偏置電流源Ibias；所述NMOS管M12的漏極與其柵極連接；所述NMOS管M12的源極分別與所述NMOS管M13的源極和NMOS管M11的漏極連接；所述NMOS管M10的源極與所述NMOS管M11的源極均接地；
所述電容C5的一端與所述NMOS管M6的源極連接，另一端接地；所述電容C6的一端與所述NMOS管M13的漏極連接，另一端接地；所述電感L5的一端與所述NMOS管M6的源極連接，另一端與所述NMOS管M13的漏極連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣西師范大學(xué)，未經(jīng)廣西師范大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711047837.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
