[發(fā)明專利]n型太陽能電池的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711047569.3
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN107863417A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李華;靳玉鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243
• 代理人: 文雯

1.一種n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟，

步驟1、對n型硅基底進行表面織構(gòu)化及清洗；

步驟2、在硅基底正面進行發(fā)射極制備；

步驟3、進行絕緣處理；

步驟4、進行背表面場和背面鈍化層的制備；

步驟5、正面的鈍化及減反射膜制備；

步驟6、在正面和背面圖形化形成包含導電成分的電極漿料層；

步驟7、進行第一熱處理過程；

步驟8、進行第二熱處理過程。

2.如權(quán)利要求1所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟1中發(fā)射極制備采用直接在基底上摻雜形成的p型同質(zhì)發(fā)射極，或在基底表面沉積摻雜的多晶硅或非晶硅層形成的異質(zhì)發(fā)射極。

3.如權(quán)利要求2所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：采用異質(zhì)發(fā)射極的制備時，在n型硅基底和摻雜非晶硅或多晶硅之間生長一薄層隧穿鈍化層。

4.如權(quán)利要求1所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟4中，背表面場為直接在基底上摻雜形成的局部或非局部n型摻雜表面場，背表面場采用直接在基底上進行n型摻雜形成的同質(zhì)表面場，或背表面場采用在基底上沉積的n型摻雜多晶硅或非晶硅形成的異質(zhì)表面場。

5.如權(quán)利要求4所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：異質(zhì)表面場的制備時，在硅基底和摻雜多晶硅或非晶硅之間形成一薄層隧穿鈍化層。

6.如權(quán)利要求3或5所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟4中，薄層隧穿鈍化層采用本征非晶硅、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一種，薄層隧穿鈍化層的厚度0.5nm~3nm。

7.如權(quán)利要求1所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟6中，圖形化形成電極漿料層的方法采用印刷方法、噴墨、激光轉(zhuǎn)印或3D打印方法。

8.如權(quán)利要求1所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：第一熱處理過程使用的峰值溫度為500~950℃。

9.如權(quán)利要求1所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟4、步驟5中，鈍化處理過程中使用原子層沉積方法或增強型等離子氣相沉積方法或熱生長方法形成的氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮氧化硅或者它們中的兩個或兩個以上的組合物進行鈍化。

10.如權(quán)利要求1所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：第二熱處理方法為激光輻照處理方法或快速熱處理方法。

11.如權(quán)利要求10所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：激光輻照方法使用的激光器的波長是300~1100nm。

12.如權(quán)利要求10所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：激光輻照處理方法采用超過太陽能電池尺寸的大光斑一次照射，或使用小于太陽能電池面積的光斑進行掃描式輻照，輻照次數(shù)為一次及以上。

13.如權(quán)利要求10所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：激光輻照方法對整個電池表面進行輻照或僅對電極區(qū)域進行輻照處理。

14.如權(quán)利要求10所述的n型太陽能電池的制備方法，其特征在于：快速熱處理方法使用的峰值溫度為600~1000℃。