[發明專利]一種半導體元件

有效

• 申請號: 201711047374.9
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN109728077B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 黃偉豪;陳俊隆;廖琨垣;林盈志;呂佳霖
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種半導體元件，包括：第一柵極線、第二柵極線以及第一桿狀(bar?shaped)接觸結構。第一柵極線具有沿著第一方向延伸的第一長軸。第二柵極線平行第一柵極線。第一桿狀接觸結構具有第二長軸，與第一長軸夾度實質大于0°小于90°的角度。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件，且特別是涉及一種具有柵極接觸結構的半導體元件。

背景技術

隨著集成電路尺寸的微縮以及對其效能逐漸增高的需求，集成電路中的半導體元件需具備更高驅動電流、更快的反應速度以及更小的關鍵尺寸(critical size)。為達到微縮關鍵尺寸和增加反應速度的目標，目前已采用具有多重柵極結構的鰭式場效晶體管(finfield effect transistor，簡稱FinFET)技術來增加元件的單位面積密度、減少消耗功率和改善柵極控制通道的能力。

然而，隨著鰭式場效晶體管的關鍵尺寸越來越小，柵極結構提供給金屬內連線的接觸結構的落著區也跟著變小。造成在制作接觸結構的過程中，顯影后檢測(afterdevelopment inspection，ADI)所得的線寬，與刻蝕后檢測(after etch inspection,ΑΕΙ)所得到的線寬差距持續擴大，嚴重影響接觸結構的關鍵尺寸均勻度(CriticalDimension Uniformity，CDU)，容易造成接觸結構與柵極之間的電連接失效，使得元件制作工藝良率無法提升。

因此有需要提供一種新式的半導體元件，以解決現有技術所面臨的問題。

發明內容

本發明的一實施例是有關于一種半導體元件，此種半導體元件包括：第一柵極線、第二柵極線以及第一桿狀(bar-shaped)接觸結構。第一柵極線具有沿著第一方向延伸的第一長軸。第二柵極線平行第一柵極線。第一桿狀接觸結構具有一第二長軸，與第一長軸夾度實質大于0°小于90°的角度。

本發明的另一個實施例是有關于一種半導體元件，此種半導體元件包括：半導體基材、第一柵極線、第二柵極線以及第一桿狀接觸結構。第一柵極線位于基材上，具有沿著第一方向延伸的第一長軸。第二柵極線，位于基材上，平行第一柵極線。第一桿狀接觸結構位于第一柵極線和第二柵極線上方，且分別與第一柵極線和第二柵極線電性接觸。其中，第一桿狀接觸結構具有一第二長軸與第一長軸夾實質大于0°小于90°的角度。

根據上述，本發明的實施例提出一種半導體元件，其采用桿狀的接觸結構來與位于此接觸結構下方的二平行柵極線接觸，使桿狀接觸結構的長軸與二柵極線的長軸的夾角實質大于0°小于90°。通過這樣的布局安排，可以增加接觸結構落著于柵極線頂部的接觸面積。在不擴大柵極線的關鍵尺寸的前提下，能確保接觸結構與柵極線之間電連接的可靠度(reliability)，達到改善半導體元件制作工藝良率和元件可靠度的目的。

附圖說明

為了對本發明的上述實施例及其他目的、特征和優點能更明顯易懂，特舉數個優選實施例，并配合所附的附圖，作詳細說明如下:

圖1為本發明一實施例所繪示的一種半導體元件的局部布局(layout)圖；

圖2A為本發明另一實施例所繪示的一種半導體元件的局部布局圖；

圖2B為沿著圖2A的剖線2B-2B’所繪示結構剖面示意圖；

圖3A為本說明書的一實施例，繪示具有鰭片的基材的結構俯視圖；

圖3B為沿著圖3A的剖線3B-3B’所繪示結構剖面示意圖；

圖3C為沿著圖3A的剖線3C-3C’所繪示的結構剖面示意圖；

圖4A為本說明書的一實施例，繪示在圖3A的結構上形成多個柵極線之后的結構俯視圖；

圖4B為沿著圖4A的剖線4B-4B’所繪示的結構剖面示意圖；