[發明專利]一種像素電路及其驅動方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201711047038.4 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109727570A | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 趙敏;李素華;王鵬;朱朝月 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3208 | 分類號: | G09G3/3208;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 許志勇 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 像素電路 發光二極管 顯示裝置 電源電壓 電源電壓降 驅動 參考電壓 存儲電容 發光階段 數據電壓 不均勻 申請 | ||
1.一種像素電路,其特征在于,包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、發光二極管以及存儲電容,其中:
所述第一薄膜晶體管的柵極分別與所述第二薄膜晶體管的漏極、所述第三薄膜晶體管的源極以及所述存儲電容的一端連接,所述第二薄膜晶體管的源極與初始電壓信號線連接,所述存儲電容的另一端分別與所述第四薄膜晶體管的漏極以及所述第五薄膜晶體管的源極連接,所述第四薄膜晶體管的源極與參考電壓信號線連接;
所述第一薄膜晶體管的源極分別與所述第五薄膜晶體管的漏極、所述第六薄膜晶體管的漏極以及所述第七薄膜晶體管的源極連接,所述第六薄膜晶體管的源極與第一電源連接,所述第七薄膜晶體管的漏極與數據線連接;
所述第一薄膜晶體管的漏極分別與所述第三薄膜晶體管的漏極以及所述發光二極管的陽極連接,所述發光二極管的陰極與第二電源連接。
2.如權利要求1所述的像素電路,其特征在于,
所述第一電源,用于為所述第一薄膜晶體管提供電源電壓;
所述發光二極管發光時電流流入所述第二電源。
3.如權利要求1所述的像素電路,其特征在于,
所述參考電壓信號線用于提供參考電壓;
所述初始電壓信號線用于提供初始電壓,所述初始電壓用于對所述第一薄膜晶體管的柵極以及所述存儲電容的一端進行初始化;
所述數據線用于提供數據電壓。
4.如權利要求3所述的像素電路,其特征在于,
所述第二薄膜晶體管的柵極與第一掃描線連接,所述第一掃描線提供的第一掃描信號控制所述第二薄膜晶體管處于導通狀態時,所述初始電壓對所述第一薄膜晶體管的柵極以及所述存儲電容的一端進行初始化;
所述第四薄膜晶體管的柵極與第二掃描線連接,所述第二掃描線提供的第二掃描信號控制所述第四薄膜晶體管處于導通狀態時,所述參考電壓向所述存儲電容的另一端施加電壓;
所述第三薄膜晶體管的柵極以及所述第七薄膜晶體管的柵極與第三掃描線連接,所述第三掃描線提供的第三掃描信號控制所述第三薄膜晶體管以及所述第七薄膜晶體管處于導通狀態時,對所述第一薄膜晶體管的閾值電壓進行補償;
所述第五薄膜晶體管的柵極以及所述第六薄膜晶體管的柵極與第四掃描線連接,所述第四掃描線提供的第四掃描信號控制所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管處于導通狀態時,電流流經所述發光二極管。
5.如權利要求4所述的像素電路,其特征在于,
所述第四掃描線控制所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管處于導通狀態時,所述第一電源分別向所述第一薄膜晶體管M1的源極以及所述存儲電容的另一端施加電壓,在所述存儲電容的作用下,流經所述發光二極管的電流與所述第一電源無關。
6.如權利要求1至5任一項所述的像素電路,其特征在于,
所述第一薄膜晶體管為P型薄膜晶體管;
所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述第六薄膜晶體管以及所述第七薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
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