[發明專利]一種高速DML發射組件

有效

• 申請號: 201711046656.7
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN107741618B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 劉倚紅;段啟金;喻慧君;伍斌;付永安
• 申請（專利權）人: 武漢電信器件有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 深圳市愛迪森知識產權代理事務所(普通合伙) 44341
• 代理人: 何婷

1.一種高速DML發射組件，包括金屬底座(001)、DML芯片(002)、MPD芯片(003)、陶瓷基板(004)、熱沉(005)、熱敏電阻(006)和TEC(007)，其特征在于，所述陶瓷基板(004)為倒凹形結構，所述金屬底座(001)上位于兩極管腳(009)相鄰處，分別設置有一導電凸臺(008)，所述陶瓷基板(004)的兩臂分別固定在金屬底座(001)上，且位于相應導電凸臺(008)和兩極管腳(009)之間，陶瓷基板(004)的背面鍍有接地導電層，并分別與所述兩極管腳相鄰處的導電凸臺(008)導電連接，所述陶瓷基板(004)的兩臂的正面分別與所述兩極管腳(009)的導電連接；其中，所述陶瓷基板(004)的正面對應兩臂分別鍍有導電層，所述兩臂的導電層分別用于耦合DML芯片(002)的供電接口，使得所述兩極管腳(009)與DML芯片(002)完成電氣連接；

所述TEC(007)設置在金屬底座(001)上，且嵌入在所述陶瓷基板(004)的凹槽部位，所述MPD芯片(003)設置在TEC(007)上且位于DML芯片(002)的背光處；所述熱沉(005)貼合于所述TEC(007)和陶瓷基板背面，并且，所述熱敏電阻(006)設置在所述熱沉(005)表面。

2.根據權利要求1所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述熱沉(005)具體為L型熱沉，具體的：

熱沉(005)背靠陶瓷基板(004)，并且貼裝在TEC(007)的上表面。

3.根據權利要求2所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述熱沉(005)與陶瓷基板(004)的耦合面之間填充有導熱膠。

4.根據權利要求2所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述熱沉(005)與TEC(007)的耦合面之間填充有金錫焊料或者導電銀膠。

5.根據權利要求1所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述高速DML發射組件適用于TO封裝，則還包括蓋帽(013)，其中，蓋帽(013)與所述金屬底座(001)耦合，并且蓋帽(013)的出光口處設置有透鏡。

6.根據權利要求5所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述高速DML發射組件適用于TO封裝，則還包括第一金屬件(014)、隔離器(015)、第二金屬件(016)、光纖插針組件(017)和柔性電路板(018)，具體的：

所述第一金屬件(014)的底部與所述蓋帽(013)耦合，所述隔離器(015)設置在第一金屬件(014)頂部與所述第二金屬件(016)底部的連接接口處，所述光纖插針組件(017)的底部與所述第二金屬件(016)的頂部耦合；

其中，所述耦合處通過膠合或者激光焊接完成固定。

7.根據權利要求6所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述隔離器(015)為單極或雙極隔離器。

8.根據權利要求6所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述光纖插針組件(017)為LC或SC光口類型，光接口封裝為SFP或XMD。

9.根據權利要求6所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述柔性電路板(018)具體為PI、LCP或者TK低介電常數的基材制作。

10.根據權利要求1-9任一所述的高速DML發射組件，其特征在于，所述熱沉(005)由導熱系數較高的鎢銅制作。