[發明專利]一種3D動態隨機存取存儲器及數據保存方法有效
| 申請號： | 201711046081.9 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN107644663B | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發明（設計）人： | 沈建宏 | 申請（專利權）人： | 睿力集成電路有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/4074 | 分類號： | G11C11/4074;G11C5/02;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京市鑄成律師事務所 11313 | 代理人： | 張臻賢;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 動態 隨機存取存儲器 數據 保存 方法 | ||
1.一種3D動態隨機存取存儲器，其特征在于，包括多個易失性數據存儲裝置、主控邏輯芯片、內存模塊板及電力存儲裝置；
所述多個易失性數據存儲裝置、所述主控邏輯芯片、及所述電力存儲裝置設置在所述內存模塊板上，所述主控邏輯芯片安裝在所述易失性數據存儲裝置底部，所述內存模塊板設置有卡槽，用以接合非易失性存儲器；
所述主控邏輯芯片的輸入端與所述易失性數據存儲裝置電連接在一立體堆棧體中，所述主控邏輯芯片的輸出端用于與非易失性存儲器電連接，在所述電力存儲裝置的電供應下，所述主控邏輯芯片用于驅動將從所述易失性數據存儲裝置下載的數據轉發復制至所述非易失性存儲器；
其中，所述易失性數據存儲裝置包括構成所述立體堆棧體的多個層疊堆棧的DRAM內存芯片，所述DRAM內存芯片之間通過硅穿孔相互連接。
2.如權利要求1所述的3D動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述主控邏輯芯片包括：
數據下載單元，與所述易失性數據存儲裝置電連接，用于從所述易失性數據存儲裝置中下載數據；及
數據傳輸單元，與所述數據下載單元以及所述非易失性存儲器連接，用于將下載的所述數據發送至所述非易失性存儲器。
3.如權利要求1所述的3D動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述電力存儲裝置至少與所述主控邏輯芯片連接，所述電力存儲裝置包括電容式供電電源或充電電池。
4.如權利要求1所述的3D動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述非易失性存儲器包括記憶卡存儲器(SD card)或閃存存儲器(FLASH memory device)。
5.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述非易失性存儲器設置于所述內存模塊板上。
6.如權利要求1所述的3D動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述主控邏輯芯片包括片上系統專用集成電路(SOC ASIC)。
7.如權利要求1至6中任一項所述的3D動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述DRAM內存芯片的數量范圍為2至16個。
8.一種3D動態隨機存取存儲器的數據保存方法，其特征在于，包括：
提供如權利要求1所述的3D動態隨機存取存儲器；
給所述3D動態隨機存取存儲器供電，所述3D動態隨機存取存儲器中的所述主控邏輯芯片載入數據至所述易失性數據存儲裝置中；
當所述易失性數據存儲裝置斷電時，所述電力存儲裝置給所述主控邏輯芯片供電并接入所述非易失性存儲器至所述主控邏輯芯片；及所述主控邏輯芯片驅動將所述載入數據轉發復制至所述非易失性存儲器。
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