[發明專利]半導體器件和測量方法

在審

• 申請號: 201711045622.6
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108089051A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 首藤真;河合一慶;深澤光彌;R·諾爾弗;R·達爾比
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G01R21/00
• 分類號: G01R21/00;G01R23/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝;張昊

本公開涉及半導體器件和測量方法。需要高階頻率測量而不大幅增加消耗電流和芯片管芯尺寸。一種半導體器件包括：電功率測量部，執行電功率測量；高階頻率測量部，執行高階頻率測量；以及時鐘控制器，向電功率測量部提供第一采樣頻率下的第一時鐘信號，并且向高階頻率測量部提供第二采樣頻率下的第二時鐘信號。第二采樣頻率高于第一采樣頻率。

相關申請的交叉參考

2016年11月22日提交的日本專利申請第2016-226397號、包括說明書、附圖和摘要的公開結合于此作為參考。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件和一種測量方法，更具體地，涉及一種半導體器件及其測量方法，以測量例如電功率和高階頻率。

背景技術

已知增量總和(ΔΣ)A/D轉換器作為AD轉換器的一種形式。專利文獻1公開了一種包括多個增量總和A/D轉換器的半導體器件。

還已知通過使用增量總和A/D轉換器進行功率測量。例如，通過使用增量總和A/D轉換器進行的功率測量可以針對增量總和A/D轉換器使用3.9kHz的采樣頻率，以確保低功耗。

當前，高階頻率測量在日本符合IEC標準。IEC標準要求達到第五階頻率。達到第五階頻率的測量可以使用增量總和A/D轉換器來用于測量，而不會大幅增加消耗電流和芯片管芯尺寸。因此，目前在日本，通過使用增量總和A/D轉換器進行電功率測量和高階頻率測量是沒有障礙的。

專利文獻1：日本未審查專利公開第2014-86892號

非專利文獻1：OIML R 46-1/-2Edition 2012(E)

發明內容

然而，高于第五階的階處的頻率測量需要符合作為法制計量的國際組織的OIML的R46國際標準。非專利文獻公開了對多達第40階處的高階頻率測量的需求。

當對于電功率測量將采樣頻率設置為3.9kHz時，需要235kHz的采樣頻率來測量第40階高階頻率信號。因此，發明人發現了在考慮符合OIML的R46國際標準的情況下通過使用增量總和A/D轉換器執行電功率測量和高階頻率測量的配置大幅增加了消耗電流和芯片管芯尺寸的問題。

通過參考本說明書和附圖的以下描述，可以容易地確定這些和其他目標和新穎特征。

根據一個實施例，一種半導體器件包括時鐘控制器，其為電功率測量部提供使用第一采樣頻率的第一時鐘信號，并且為高階頻率測量部提供使用第二采樣頻率的第二時鐘信號，其中第二采樣頻率高于第一采樣頻率。

第一實施例可以執行高階頻率測量，而不會大幅增加消耗電路和芯片管芯尺寸。

附圖說明

圖1是示出根據一個實施例的半導體器件的示例性配置的框圖；

圖2是示出根據該實施例的半導體器件的示例性操作的流程圖；

圖3是示出根據第一實施例的半導體器件的示例性配置的框圖；

圖4是示出根據第二實施例的半導體器件的示例性配置的框圖；

圖5是示出根據第二實施例的第一變化例的時鐘控制器的示例性操作的流程圖；

圖6是示出根據第二實施例的第二變化例的半導體器件的示例性配置的框圖；

圖7是示出根據第三實施例的半導體器件的示例性配置的框圖；以及

圖8是示出根據第三實施例的變化例的半導體器件的高階頻率測量部的示例性配置的框圖。

具體實施方式