[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201711045356.7 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN108022957B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 金正五;白正善;李鍾源;李東奎 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
設置在基板上的多個存儲電容器;
設置在所述存儲電容器上的至少一個緩沖層;
多個晶體管,所述晶體管與每個存儲電容器在其間插置有所述至少一個緩沖層的條件下交疊;
連接至所述晶體管的發光元件;
連接至所述發光元件的低電壓供給線;以及
與所述低電壓供給線平行地設置的高電壓供給線和數據線,
其中,所述低電壓供給線和所述高電壓供給線中的至少之一與所述數據線的其中之一在其間插置有所述至少一個緩沖層的條件下交疊。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述至少一個緩沖層包括由有機絕緣材料形成的有機緩沖層。
3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述至少一個緩沖層包括:
設置在所述基板上的第一無機緩沖層;
設置在所述第一無機緩沖層上并由有機絕緣材料形成的有機緩沖層;以及
設置在所述有機緩沖層上并與所述有機緩沖層具有相同線寬度的第二無機緩沖層。
4.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其中每個存儲電容器包括:
設置在所述基板和所述第一無機緩沖層之間的存儲下電極;以及
設置在所述第一無機緩沖層上的存儲上電極。
5.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其中所述有機緩沖層由比所述第一無機緩沖層和所述第二無機緩沖層具有更低介電常數和更高耐熱性的材料形成。
6.如權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其中所述晶體管包括:
連接至所述發光元件的驅動晶體管;以及
連接至所述驅動晶體管的開關晶體管,
其中,所述開關晶體管與所述低電壓供給線和所述存儲電容器中的一個在其間插置有所述至少一個緩沖層的條件下交疊,并且
所述驅動晶體管與所述低電壓供給線和所述存儲電容器中的另一個在其間插置有所述至少一個緩沖層的條件下交疊。
7.如權利要求5所述的有機發光顯示裝置,還包括:
通過穿過所述至少一個緩沖層的孔連接至所述低電壓供給線的第一輔助連接電極和連接到所述第一輔助連接電極的第二輔助連接電極;以及
暴露所述發光元件的陽極和所述第二輔助連接電極的一部分的堤部。
8.如權利要求7所述的有機發光顯示裝置,還包括設置在位于所述第二輔助連接電極上的堤部上的倒錐形的隔膜。
9.一種制造有機發光顯示裝置的方法,包括:
形成位于基板上的多個存儲電容器;
形成位于所述存儲電容器上的至少一個緩沖層;
形成多個晶體管,所述晶體管與每個存儲電容器在其間插置有所述至少一個緩沖層的條件下交疊;
形成連接至所述晶體管的發光元件;
形成連接至所述發光元件的低電壓供給線;以及
形成與所述低電壓供給線平行地設置的高電壓供給線和數據線,
其中,所述低電壓供給線和所述高電壓供給線中的至少之一與所述數據線的其中之一在其間插置有所述至少一個緩沖層的條件下交疊。
10.如權利要求9所述的方法,其中,在形成所述至少一個緩沖層時,在所述基板上形成由有機絕緣材料形成的有機緩沖層。
11.如權利要求9所述的方法,其中,形成所述至少一個緩沖層包括:
在所述基板上形成第一無機緩沖層;
在所述第一無機緩沖層上由有機絕緣材料形成有機緩沖層;以及
在所述有機緩沖層上形成與所述有機緩沖層具有相同線寬度的第二無機緩沖層。
12.如權利要求11所述的方法,其中形成所述存儲電容器包括:
在所述基板上形成存儲下電極;以及
在所述第一無機緩沖層上形成存儲上電極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711045356.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:手引導式工作器械
- 下一篇:檢測事件并生成通知的智能織物
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





