[發明專利]一種低溫多晶硅器件制作方法及多晶硅層平坦化方法

有效

• 申請號: 201711045283.1
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN107799412B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 張偉彬
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種低溫多晶硅器件多晶硅層平坦化方法，其特征在于，包括：

步驟S1、將低溫多晶硅器件晶化；

步驟S2、在晶化后的低溫多晶硅器件不平坦的多晶硅層表面通過涂布工藝形成一層平坦涂布層；

步驟S3、對所述平坦涂布層進行固化；

步驟S4、將固化后的平坦涂布層及凸起的多晶硅通過干蝕刻法進行一次性去除，形成表面平坦的多晶硅層，其中，所述干蝕刻法使用的氣體為O₂和CF₄的混合氣體，所述CF₄的含量占整個混合氣體80％-95％。

2.根據權利要求1所述的一種低溫多晶硅器件多晶硅層平坦化方法，其特征在于，所述步驟S2中，涂布工藝為PI涂布工藝。

3.根據權利要求2所述的一種低溫多晶硅器件多晶硅層平坦化方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述PI涂布后的有機層為溶膠狀態。

4.一種低溫多晶硅器件的制作方法，其特征在于，所述低溫多晶硅器件的多晶硅層通過權利要求1至3任一項所述的方法進行平坦化。