[發(fā)明專利]一種MOS靜電防護(hù)溝槽器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711044721.2 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN109728070A | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李雪梅 | 申請（專利權(quán)）人： | 華潤微電子（重慶）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 401331 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靜電防護(hù) 溝槽器件 靜電保護(hù)結(jié)構(gòu) 靜電防護(hù)結(jié)構(gòu) 溝槽型結(jié)構(gòu) 選擇性蝕刻 窗口條件 光刻工藝 氮化硅 高度差 氧化硅 襯底 光刻 制備 優(yōu)化 制造 | ||
1.一種MOS靜電防護(hù)溝槽器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟：
提供一襯底，所述襯底包括漏極區(qū)域及介質(zhì)層；所述介質(zhì)層具有第一面及與所述第一面相對應(yīng)的第二面；所述介質(zhì)層第一面結(jié)合于所述漏極區(qū)域；所述介質(zhì)層橫向劃分為有源區(qū)域及靜電防護(hù)區(qū)域；
在所述有源區(qū)域的所述介質(zhì)層內(nèi)形成若干溝槽，并在所述溝槽中形成第一多晶硅層；
在所述介質(zhì)層第二面上自下而上依次形成氮化硅層及第二多晶硅層，并去除位于所述有源區(qū)域的所述氮化硅層及所述第二多晶硅層；
基于位于所述靜電防護(hù)區(qū)域的所述第二多晶硅層制作靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，并將位于所述靜電防護(hù)區(qū)域的所述氮化硅層作為阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件的制造方法，其特征在于：在所述溝槽中形成所述第一多晶硅層之前還包括在所述溝槽內(nèi)及所述介質(zhì)層第二面上形成柵介質(zhì)層的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件的制造方法，其特征在于：在形成所述柵介質(zhì)層之前還包括在所述溝槽內(nèi)及所述介質(zhì)層第二面上生長犧牲氧化層而后去除所述犧牲氧化層的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件的制造方法，其特征在于：去除位于所述有源區(qū)域的所述氮化硅層的方法包括濕法蝕刻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件的制造方法，其特征在于：還包括在所述有源區(qū)域的所述介質(zhì)層中形成體區(qū)、源區(qū)及體接觸區(qū)的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件的制造方法，其特征在于：在形成所述體區(qū)的同時(shí)在所述第二多晶硅層中形成第一摻雜區(qū)域；在形成所述源區(qū)的同時(shí)在所述第二多晶硅層中形成第二摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域與所述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型相反。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件的制造方法，其特征在于：還包括在所述介質(zhì)層第二面及所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)上表面由下而上依次形成絕緣介質(zhì)層及金屬層的步驟。
8.一種MOS靜電防護(hù)溝槽器件，其特征在于，所述MOS靜電防護(hù)溝槽器件包括：
襯底，所述襯底包括漏極區(qū)域及介質(zhì)層；所述介質(zhì)層具有第一面及與所述第一面相對應(yīng)的第二面；所述介質(zhì)層第一面結(jié)合于所述漏極區(qū)域；所述介質(zhì)層橫向劃分為有源區(qū)域及靜電防護(hù)區(qū)域；
若干溝槽，位于所述有源區(qū)域的所述介質(zhì)層中，所述溝槽內(nèi)包括第一多晶硅層；
氮化硅層，位于所述靜電防護(hù)區(qū)域的所述介質(zhì)層第二面；
靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)，位于所述氮化硅層上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件，其特征在于：所述漏極區(qū)域與所述介質(zhì)層第一面之間還具有外延層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件，其特征在于：位于所述有源區(qū)域的所述介質(zhì)層自所述介質(zhì)層第一面向所述介質(zhì)層第二面依次包括漂移區(qū)、體區(qū)及源區(qū)，所述體區(qū)中還包括體接觸區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件，其特征在于：所述介質(zhì)層第二面及所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)上表面還包括絕緣介質(zhì)層及金屬層，所述金屬層劃分為相互獨(dú)立的源體接觸金屬層及柵極接觸金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件，其特征在于：所述源體接觸金屬層及柵極接觸金屬層通過接觸孔分別與所述體接觸區(qū)及所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)相連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件，其特征在于：所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)包括第一摻雜區(qū)域及第二摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域與所述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型相反。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MOS靜電防護(hù)溝槽器件，其特征在于：所述靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的厚度范圍為3000～6000埃。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華潤微電子（重慶）有限公司，未經(jīng)華潤微電子（重慶）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711044721.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
