[發明專利]具有雙層氧化物半導體的薄膜晶體管基板

有效

• 申請號: 201711043946.6
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108022937B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 李昭珩;金圣起;李永鎮;金敏澈;梁晸碩;任曙延
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板包括：

基板；

氧化物半導體層，所述氧化物半導體層在所述基板上；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層被設置在所述氧化物半導體層的上層和下層中的任一層處；以及

柵極，所述柵極與所述氧化物半導體層交疊，且所述柵極絕緣層位于所述柵極和所述氧化物半導體層之間，

其中，所述氧化物半導體層包括：

具有銦、鎵和鋅的第一氧化物半導體層；和

具有銦、鎵和鋅的第二氧化物半導體層，所述第二氧化物半導體層層疊在所述第一氧化物半導體層上，

其中，所述第一氧化物半導體層和所述第二氧化物半導體層中的任一層具有1:1:1的銦、鎵和鋅的第一組成比，

其中，另一層具有銦比率高于鋅比率的銦、鎵和鋅的第二組成比，

其中，所述第一氧化物半導體層和所述第二氧化物半導體層中更靠近所述柵極的任一氧化物半導體層具有所述第一組成比，并且

其中，遠離所述柵極的另一氧化物半導體層具有所述第二組成比。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，

其中，銦、鎵和鋅的所述第二組成比具有鋅比率與鎵比率之比等于或高于0且低于0.5的條件。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中，銦、鎵和鋅的所述第二組成比具有所述銦比率與所述鎵比率之比低于1的條件。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，

其中，銦、鎵和鋅的所述第二組成比具有從1:2:0至1:2:0.9中選擇的任一值的條件。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板還包括：

源極，所述源極與所述第一氧化物半導體層的一個上表面接觸；以及

漏極，所述漏極與所述第一氧化物半導體層的另一上表面接觸，

其中，所述第一氧化物半導體層具有所述第一組成比，并且所述第二氧化物半導體層具有所述第二組成比，并且

其中，所述柵極被設置在所述第一氧化物半導體層下方。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中，所述第二氧化物半導體層具有比所述第一氧化物半導體層小的面積，并且被設置在所述第一氧化物半導體層的中間部分上。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管基板，

其中，所述源極還接觸所述第二氧化物半導體層的一個上表面，并且

其中，所述漏極還接觸所述第二氧化物半導體層的另一上表面。

8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板還包括：

刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層在所述第二氧化物半導體層上設置在所述源極和所述漏極之間。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管基板，其中，所述刻蝕阻擋層具有比所述第二氧化物半導體層小的尺寸。

10.根據權利要求8所述的薄膜晶體管基板，其中，所述刻蝕阻擋層具有與所述第二氧化物半導體層相同的尺寸。

11.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板還包括：

中間絕緣層，所述中間絕緣層在所述柵極上；以及

源極和漏極，所述源極和所述漏極形成在所述中間絕緣層上，

其中，所述柵極在所述柵極絕緣層上與所述第二氧化物半導體層的中間部分交疊，所述柵極絕緣層在所述第二氧化物半導體層上，

其中，所述第一氧化物半導體層具有所述第二組成比，并且所述第二氧化物半導體層具有所述第一組成比，

其中，所述第一氧化物半導體層具有與所述第二氧化物半導體層相同的尺寸，

其中，所述源極經由穿透所述中間絕緣層的源極接觸孔與所述第二氧化物半導體層的一部分接觸，并且

其中，所述漏極經由穿透所述中間絕緣層的漏極接觸孔與所述第二氧化物半導體層的另一部分接觸。