[發明專利]具有多量子阱結構的半導體激光二極管有效
| 申請號： | 201711043860.3 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN108011295B | 公開（公告）日： | 2021-02-12 |
| 發明（設計）人： | 小河直毅 | 申請（專利權）人： | 住友電工光電子器件創新株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 李銘;崔利梅 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 多量 結構 半導體 激光二極管 | ||
1.一種半導體激光二極管，包括：
半導體襯底，其由磷化銦(InP)制成；
光柵，其設置在所述半導體襯底上；
n型層，其掩埋所述光柵；以及
有源層，其具有多量子阱(MQW)結構的布置，所述多量子阱結構包括彼此交替堆疊的多個勢壘層和多個阱層，所述勢壘層具有拉伸應力，并且所述阱層具有壓縮應力，所述多量子阱結構還提供了各自夾在所述勢壘層和所述阱層之間的多個中間層，
其中，所述中間層在所述勢壘層和所述阱層之間各自具有應力并且具有小于1nm的厚度，
其中，所述勢壘層由晶格常數短于InP的晶格常數的半導體材料制成，并且所述阱層由晶格常數長于所述InP的晶格常數的半導體材料制成，并且
其中，所述中間層由晶格常數介于所述勢壘層的晶格常數與所述阱層的晶格常數之間的半導體材料制成。
2.根據權利要求1所述的半導體激光二極管，
其中，所述n型層由InP制成。
3.根據權利要求1所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層的晶格常數與所述InP的晶格常數實質上相等。
4.根據權利要求1所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層的能帶隙大于所述勢壘層的能帶隙和所述阱層的能帶隙。
5.根據權利要求4所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層的晶格常數與所述InP的晶格常數實質上相等。
6.根據權利要求1所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層的能帶隙小于所述勢壘層的能帶隙和所述阱層的能帶隙。
7.根據權利要求6所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層的晶格常數與所述InP的晶格常數實質上相等。
8.根據權利要求1所述的半導體激光二極管，
其中，所述勢壘層、所述阱層和所述中間層各自由具有彼此不同的組分的InAlGaAs制成。
9.根據權利要求8所述的半導體激光二極管，
其中，所述勢壘層由In0.44Al0.28Ga0.28As制成，并且所述阱層由In0.79Al0.16Ga0.05As制成。
10.根據權利要求9所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層由InAlAs制成。
11.根據權利要求9所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層由InGaAs制成。
12.根據權利要求2所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層的晶格常數與所述InP的晶格常數實質上相等。
13.根據權利要求2所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層的能帶隙大于所述勢壘層的能帶隙和所述阱層的能帶隙，并且
其中，所述中間層的晶格常數與所述InP的晶格常數實質上相等。
14.根據權利要求2所述的半導體激光二極管，
其中，所述中間層的能帶隙小于所述勢壘層的能帶隙和所述阱層的能帶隙，并且
其中，所述中間層的晶格常數與所述InP的晶格常數實質上相等。
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