[發明專利]具有推力增程模塊的MEMS微推力器陣列芯片有效
| 申請號： | 201711042484.6 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN107902109B | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發明（設計）人： | 王守旭;朱健;姜國慶;匡蕾;夏燕 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | B64G1/40 | 分類號： | B64G1/40;F02K9/14;F02K9/32 |
| 代理公司： | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人： | 陳鵬 |
| 地址： | 210016 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 推力 模塊 mems 陣列 芯片 | ||
1.一種具有推力增程模塊的MEMS微推力器陣列芯片，其特征在于，包括由下至上依次設置的點火層、藥室層和推力增程模塊；
所述推力增程模塊的上表面設置有外噴孔，推力增程模塊的下表面設置有內噴孔，內噴孔和外噴孔之間設置有單晶硅薄膜，作為內外噴孔之間的隔膜；內噴孔內壁生長或者沉積高能納米含能膜作為推力增程模塊的推進劑。
2.根據權利要求1所述的具有推力增程模塊的MEMS微推力器陣列芯片，其特征在于，所述高能納米含能膜為多孔硅納米含能膜、CuO納米線/Al含能膜、Mg納米線/聚四氟乙烯膜或者CuO/Al可反應性多層膜。
3.根據權利要求1或2所述的具有推力增程模塊的MEMS微推力器陣列芯片，其特征在于，點火層上的換能元、藥室層的藥室以及推力增程模塊的內噴孔、外噴孔在垂直方向位置對應。
4.根據權利要求3所述的具有推力增程模塊的MEMS微推力器陣列芯片，其特征在于，所述點火層、藥室層和推力增程模塊之間通過鍵合連接。
5.根據權利要求1或2所述的具有推力增程模塊的MEMS微推力器陣列芯片，其特征在于，藥室層和推力增程模塊之間還設置有噴孔層。
6.根據權利要求5所述的具有推力增程模塊的MEMS微推力器陣列芯片，其特征在于，點火層上的換能元、藥室層的藥室、噴孔層的內噴孔、外噴孔以及推力增程模塊的內噴孔、外噴孔在垂直方向位置對應。
7.根據權利要求6所述的具有推力增程模塊的MEMS微推力器陣列芯片，其特征在于，所述點火層、藥室層、噴孔層和推力增程模塊之間通過鍵合連接。
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