[發(fā)明專利]在中溫下彈坑檢測的預(yù)處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711041685.4
• 申請(qǐng)日: 2017-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN107799399B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章建聲;曹弦;黃迅駒;張青云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江華越芯裝電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 33220 紹興市越興專利事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 蔣衛(wèi)東

本發(fā)明公開一種在中溫下彈坑檢測的預(yù)處理方法，先將待檢硅片浸入裝有腐蝕液A的1號(hào)燒杯中，然后將整個(gè)1號(hào)燒杯中溫水浴5?10分鐘，接著取出待檢硅片并用純水沖洗干燥，然后將待檢硅片放入裝有腐蝕液B的2號(hào)燒杯中，并將整個(gè)2號(hào)燒杯中溫水浴5?10分鐘，最后將預(yù)處理后的待檢硅片取出清洗干凈，置于高倍顯微鏡下檢測。上述在中溫下彈坑檢測的預(yù)處理方法，通過腐蝕液A、腐蝕液B在中溫狀態(tài)下先后腐蝕，即可實(shí)現(xiàn)AL?Si?CU電極層上銅絲球焊質(zhì)量的檢測，整個(gè)預(yù)處理過程快速高效、安全環(huán)保，且操作方便。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種在中溫下彈坑檢測的預(yù)處理方法，屬于集成電路制造領(lǐng)域。

背景技術(shù)

目前針對(duì)半導(dǎo)體集成電路鍵合工藝所用材料大部分由金絲改用銅絲，由于銅絲與金絲材料特性不同，銅絲的球焊工藝方法與金絲的球焊工藝方法有所不同，雖然都是用高壓電火花將銅（金）絲端部熔成球，然后在芯片焊位上加熱加壓加超聲波使接觸面產(chǎn)生結(jié)合完成球焊，但是由于銅絲材料的特性沒有金絲好，加工過程較為困難與復(fù)雜，如工藝控制偏差會(huì)造成芯片正面AL-Si-CU電極層電路受到損傷，對(duì)該焊點(diǎn)的要求是銅球既要與芯片正面的AL-Si-CU電極層結(jié)合力強(qiáng)又不能損傷芯片AL-Si-CU電極層，如果這個(gè)結(jié)合點(diǎn)傷及到芯片AL-Si-CU電極層，產(chǎn)品就會(huì)失效或者存在潛在的失效可能，這既影響產(chǎn)品的合格率同時(shí)潛在的失效又影響客戶端產(chǎn)品的使用壽命，對(duì)產(chǎn)品直接造成不利影響，因此需要了解判斷銅球是否與芯片AL-Si-CU電極層接合后對(duì)芯片AL-Si-CU電極層造成了影響，我們業(yè)內(nèi)稱之為彈坑的檢測至關(guān)重要，成為了集成電路封裝鍵合過程中關(guān)鍵的質(zhì)量控制點(diǎn)。傳統(tǒng)的方法對(duì)AL-Si-CU合金電路層的芯片的檢測效果較差，而現(xiàn)今此類合金層的集成電路芯片比例越來越多。申請(qǐng)?zhí)枮?011018646.6的專利《一種檢測銅絲球焊質(zhì)量的工藝方法》，公開了一種檢測銅絲球焊質(zhì)量的方法，但該檢測方法需要加熱至95-120⁰C，如此高的溫度會(huì)造成操作不方便、不安全，且對(duì)環(huán)境影響較大。

有鑒于此，本發(fā)明人對(duì)此進(jìn)行研究，專門開發(fā)出一種在中溫下彈坑檢測的預(yù)處理方法，本案由此產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中高溫、不安全等問題，本發(fā)明提供在一種中溫下彈坑檢測的預(yù)處理方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的解決方案是：

在中溫下彈坑檢測的預(yù)處理方法，先將待檢硅片浸入裝有腐蝕液A的1號(hào)燒杯中，然后將整個(gè)1號(hào)燒杯中溫水浴5-10分鐘，接著取出待檢硅片并用純水沖洗干燥，然后將待檢硅片放入裝有腐蝕液B的2號(hào)燒杯中，并將整個(gè)2號(hào)燒杯中溫水浴5-10分鐘，最后將預(yù)處理后的待檢硅片取出清洗干凈，置于高倍顯微鏡下檢測。

作為優(yōu)選，所述腐蝕液A為10-20%NaOH，所述百分比為體積濃度。

作為優(yōu)選，所述腐蝕液B為10-20%硫酸+3-5%醋酸+20-30%磷酸，所述百分比為體積濃度。

作為優(yōu)選，所述無水乙醇的濃度為90-100%，所述百分比為體積濃度。

作為優(yōu)選，所述中溫為40-60℃。

作為優(yōu)選，所述預(yù)處理后的待檢硅片清洗包括：先用純水沖洗，然后用無水乙醇脫水清洗干凈。

作為優(yōu)選，所述高倍顯微鏡為200倍或200倍以上的顯微鏡。

本發(fā)明所述的在中溫下彈坑檢測的預(yù)處理方法，通過腐蝕液A、腐蝕液B在40-60℃的中溫狀態(tài)下先后腐蝕，即可實(shí)現(xiàn)AL-Si-CU電極層上銅絲球焊質(zhì)量的檢測，整個(gè)預(yù)處理過程快速高效、安全環(huán)保，且操作方便。

以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1