[發明專利]半導體器件和電子設備

在審

• 申請號: 201711039489.3
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN107833898A
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 小林正治;工藤義治;佐野拓也
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0232
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 張曉明

1.一種半導體器件，包括：

第一基底，包含在第一半導體基底中的光接收元件；以及

第二基底，堆疊在所述第一基底上，包含在第一方向上的有源元件，以及在所述光接收原件和所述有源元件之間的光遮擋結構；

其中緩沖區在所述有源元件的兩側，所述緩沖區的寬度比從所述有源元件到所述光遮擋結構的距離更寬，

其中，在截面圖中，所述光遮擋結構包含第一布線層中的第一布線和第二布線，以及第二布線層中的第三布線，布線間區域布置在所述第一布線和所述第二布線之間，并且布置在所述有源元件上方，所述第三布線覆蓋所述布線間區域。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二半導體基底通過所述光遮擋結構結合到所述第一半導體基底。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第二布線的原點來自所述第一布線的分支點，并且所述光遮擋結構具有所述第一布線的一部分和所述第二布線的一部分，并且所述第一布線的一部分和所述第二布線的一部分相互平行。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二半導體基底的所述有源元件分為多個電路塊，

其中對應于所述多個電路塊的電路塊的區域定義為光遮擋目標區域，并且

其中所述多個電路塊之間的區域定義為光遮擋非目標區域。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述光接收元件是光電轉換元件。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述光接收元件是具有對于光噪聲的高靈敏度的高靈敏度模擬元件。

7.根據權利要求1所述的電子設備。

8.一種半導體器件，包括：

下布線的層，其在光遮擋結構中；

上層布線的層，其在所述光遮擋結構中；

第一有源元件，其在半導體基底的第一光遮擋目標區域中；以及

緩沖區，其在所述第一有源元件的兩側，其中所述緩沖區的寬度比從所述第一有源元件到所述光遮擋結構的距離更寬。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述光遮擋結構的截面圖的第一方向上的布線間距離是所述下布線的所述層和所述上布線的所述層之間的間隙，其中所述上布線的所述第一布線通過重疊量覆蓋所述下布線的所述第一布線的所述第一部分，所述重疊量至少大于所述布線間距離。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中在所述光遮擋結構的所述截面圖中，在所述上布線的所述第一布線和所述上布線的所述第二布線之間絕緣。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述截面圖中的開口寬度是所述下布線的所述第一布線與所述下布線的所述第二布線之間的間隙。

12.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括：

在光學元件和所述上布線的所述層之間的光接收元件。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中所述光接收元件是光電二極管。

14.根據權利要求8所述的半導體器件，

其中所述下布線的所述層在所述第一有源元件和所述上層布線的所述層之間。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中所述半導體基底的光遮擋非目標區域是在所述半導體基底的所述第一光遮擋目標區域和所述第二光遮擋目標區域之間。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，還包括：

在所述第二光遮擋目標區域中的第二有源元件。

17.根據權利要求15所述的半導體器件，其中

層間距離是從所述第一有源元件到所述光遮擋結構的長度，并且緩沖區寬度是從所述第一有源元件到所述光遮擋非目標區域的距離，所述緩沖區寬度比所述層間距離大。

18.根據權利要求8所述的電子設備。