[發(fā)明專利]一種ESS音頻電路降噪結構及降噪方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711038287.7
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107734430B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 王榆鋒
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: H04R3/04
• 分類號: H04R3/04
• 代理公司: 濟南誠智商標專利事務所有限公司 37105
• 代理人: 王汝銀

1.一種ESS音頻電路降噪結構，所述的結構包括主板和A小卡，所述主板上設有ESS音頻芯片、GND引腳，所述的A小卡上設有聽筒、GND_A引腳，其特征是：所述主板上還設有第一AGND2引腳，所述的ESS音頻芯片通過第一AGND2引腳接地，所述的GND引腳接地；所述的A小卡上設有第二AGND2引腳，所述的聽筒通過第二AGND2引腳接地，所述的GND_A引腳接地；所述的ESS音頻芯片分別通過一個0歐姆電阻連接服務器CPU的SCL引腳和SDA引腳。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種ESS音頻電路降噪結構，其特征是：所述ESS音頻芯片的INL引腳連接DAC的DACL信號線，INBL引腳連接DAC的DACLB信號線，且DACL信號線和DACLB信號線采用差分走線。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種ESS音頻電路降噪結構，其特征是：所述ESS音頻芯片的INR引腳連接DAC的DACR信號線，INBR引腳連接DAC的DACRB信號線，且DACR信號線和DACRB信號線采用差分走線。

4.一種ESS音頻電路降噪方法，其特征是：基于權利要求1所述的結構來實現(xiàn)，所述的方法包括：

S1：在主板上設置第一AGND2引腳，并分別接ESS音頻芯片和接地；

S2：在A小卡上設置第二AGND2引腳，并分別接耳機和接地。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種ESS音頻電路降噪方法，其特征是：所述的方法還包括：

S3：將ESS音頻芯片的INL引腳和INBL引腳分別連接DAC的DACL信號線和DAC的DACLB信號線，并將DACL信號線和DACLB信號線設置為差分走線。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種ESS音頻電路降噪方法，其特征是：所述的方法還包括：

S4：將ESS音頻芯片的INR引腳和INBR引腳分別連接DAC的DACR信號線和DAC的DACRB信號線，并將DACR信號線和DACRB信號線設置為差分走線。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種ESS音頻電路降噪方法，其特征是：所述的方法還包括：

S5：在ESS音頻芯片和服務器CPU的SCL引腳之間，以及ESS音頻芯片和服務器CPU的SDA引腳之間分別設置一個0歐姆電阻。