[發(fā)明專利]硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711038218.6
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107785459B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 閆玲玲;蔡紅新;陳亮;王永強;楊鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 河南理工大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳嘯寰

1.一種硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括用連續(xù)離子層吸附反應法在納米孔柱硅片表面制備Cu和In摻雜的硫化鎘量子點的步驟；

制備Cu和In摻雜的硫化鎘量子點的方法包括以下步驟：

步驟a)：將銦源與鎘源溶于第一溶劑中形成前驅(qū)液A，其中銦元素與鎘元素的摩爾比為1:(8-13)；將銅源與鎘源溶于第二溶劑中形成前驅(qū)液B，其中，銅元素與鎘元素的摩爾比為1:(95-105)；將硫化銨溶于第三溶劑中形成陰離子前驅(qū)液；

步驟b)：先將納米孔柱硅片置于前驅(qū)液A中浸漬4-6min，然后清洗干燥后置于陰離子前驅(qū)液中浸漬4-6min，之后再清洗干燥；該步驟循環(huán)重復進行3-6次；

步驟c)：將經(jīng)過步驟b)處理后的納米孔柱硅片置于前驅(qū)液B中浸漬4-6min，然后清洗干燥后置于陰離子前驅(qū)液中浸漬4-6min，之后再清洗干燥；該步驟循環(huán)重復進行3-6次，即在納米孔柱硅片表面制備得到Cu和In摻雜的硫化鎘量子點；

步驟d)：依次采用稀鹽酸和飽和氫氧化鈉溶液對生長有Cu和In共摻雜的硫化鎘量子點的納米孔柱硅片的任意一側(cè)表面進行腐蝕清洗，直至去除Cu和In摻雜的硫化鎘量子點。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述前驅(qū)液A的濃度為0.07-0.13mol/L。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述銦源包括In(Cl)₃或In₂(SO₄)₃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述鎘源包括Cd(Ac)₂、Cd(Cl)₂或CdSO₄。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第一溶劑包括乙醇或甲醇。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述前驅(qū)液B的濃度為0.07-0.13mol/L。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述銅源包括Cu(Cl)₃、Cu(Ac)₂或CuSO₄。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第二溶劑包括乙醇或甲醇。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述陰離子前驅(qū)液的濃度為0.07-0.13mol/L。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第三溶劑包括甲醇或乙醇。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，納米孔柱硅片的制備方法包括用水熱腐蝕法在P型硅片表面制備出柱狀結(jié)構(gòu)，得到納米孔柱硅片。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述水熱腐蝕法包括以下步驟：對P型硅片進行清洗，清洗后放入水熱反應釜中進行反應，反應結(jié)束后得到納米孔柱硅片。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硫化鎘量子點/硅納米孔柱太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述清洗包括利用RCA標準清洗法進行清洗。