[發(fā)明專利]光電二極管及其形成方法、圖像傳感器、指紋成像模組在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711037795.3 | 申請日: | 2017-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN109728127A | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曲志剛;朱虹 | 申請(專利權(quán))人: | 上海籮箕技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/105;H01L31/0224;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 高磊;吳敏 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)中國(上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電二極管 支撐件 感光層 襯底 圖像傳感器 指紋成像 模組 感光層表面 凹凸表面 襯底表面 光采集 反射 開口 圖像 吸收 | ||
一種光電二極管及其形成方法、圖像傳感器、指紋成像模組,光電二極管的形成方法包括:提供襯底;在所述襯底上形成多個支撐件,所述多個支撐件分布于所述襯底表面;在所述襯底和所述多個支撐件上形成感光層。通過所述多個支撐件的形成,以形成具有凹凸表面的感光層,從而降低所述感光層表面反射的損耗,增大所述感光層吸收光線的面積,在不增大開口尺寸的前提下,達到提高所形成光電二極管的光采集能力,改善圖像質(zhì)量的目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及指紋成像領(lǐng)域,特別涉及一種光電二極管及其形成方法、圖像傳感器、指紋成像模組。
背景技術(shù)
指紋識別是在采集人體指紋圖像之后,將指紋圖像與指紋識別系統(tǒng)里已有指紋信息進行比對,以實現(xiàn)身份識別。由于使用的方便性,以及人體指紋的唯一性,指紋識別技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于各個領(lǐng)域,比如:公安局、海關(guān)等安檢領(lǐng)域,樓宇的門禁系統(tǒng),以及個人電腦和手機等消費品領(lǐng)域等等。
指紋識別所采用的指紋成像技術(shù)中,一種是通過光學(xué)方法采集人體指紋圖像:通過光源產(chǎn)生入射光;入射光投射至手指表層,經(jīng)手指反射形成帶有指紋信息的反射光;由圖像傳感器接收所述反射光,獲得指紋圖像。
但是現(xiàn)有指紋成像模組所采用圖像傳感器的采光面積較小,影響了所獲得指紋圖像的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種光電二極管及其形成方法、圖像傳感器、指紋成像模組,以增大采光面積、改善圖像質(zhì)量。
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種光電二極管的形成方法,包括:
提供襯底;在所述襯底上形成多個支撐件,所述多個支撐件分布于所述襯底表面;在所述襯底和所述多個支撐件上形成感光層。
可選的,所述支撐件的寬度大于或等于1μm。
可選的,所述支撐件的間距大于或等于1μm。
可選的,所述支撐件具有朝向所述感光層凸起的支撐面,所述支撐面為曲面。
可選的,所述支撐件具有朝向所述襯底的第一面、與所述第一面相對的第二面以及連接所述第一面和第二面的第三面。
可選的,平行所述襯底表面的平面內(nèi),所述支撐件呈長條狀;垂直所述支撐件延伸方向的平面,所述支撐件的截面形狀為方形、梯形或三角形。
可選的,所述支撐件的高度小于或等于所述感光層厚度的2倍。
可選的,所述感光層的厚度小于或等于1.1μm;所述支撐件的高度小于2.2μm。
可選的,形成保形覆蓋于所述襯底和所述多個支撐件上的所述感光層。。
可選的,形成所述多個支撐件的步驟包括:在所述襯底上形成凸起材料層;通過掩膜刻蝕的方式去除部分所述凸起材料層以形成所述支撐件。
可選的,形成所述多個支撐件之后,形成所述感光層之前,還包括:形成底電極,所述底電極位于所述襯底和所述多個支撐件上;在所述底電極上形成所述感光層。
可選的,所述底電極的厚度小于或等于所述支撐件高度的1/2。
可選的,通過原子層沉積的方式形成所述底電極。
可選的,形成所述感光層之后,還包括:在所述感光層上形成頂電極和位于所述頂電極上的偏壓導(dǎo)電層;在所述偏壓導(dǎo)電層上形成保護層。
可選的,所述感光層的材料為摻雜的非晶硅。
可選的,所述光電二極管為非晶硅PIN光電二極管。
相應(yīng)的,還提供一種光電二極管,包括:
襯底;多個支撐件,所述多個支撐件分布于所述襯底表面;感光層,所述感光層位于所述襯底和所述多個支撐件上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





