[發明專利]一種MEMS器件及制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201711037349.2
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN109721021B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 王強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

振動膜；

背板，位于所述振動膜的上方；

空腔，位于所述振動膜和所述背板之間；

犧牲層，位于所述振動膜和所述背板之間并且位于所述空腔的外側；

其中，所述犧牲層呈錐體，所述錐體中靠近所述空腔并且與所述背板相接觸的一端的頂角缺失；

所述背板位于所述頂角缺失部位上方的邊緣位置還進一步設置有由所述邊緣位置向外延伸的擴展區域，用于增加所述背板在所述頂角缺失部位的邊緣平滑程度。

2.根據權利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述頂角缺失部位的形狀為向遠離所述空腔方向凹陷的凹槽。

3.根據權利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的表面和所述背板的表面之間的夾角為鈍角。

4.根據權利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，在所述背板位于所述頂角缺失部位上方的區域中設置有釋放孔，用于去除所述錐體中與所述背板相接觸的一端的頂角。

5.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

形成振動膜；

在所述振動膜上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成背板；

在所述背板上形成穿透所述背板的若干聲孔和位于所述聲孔外側的若干釋放孔；

去除所述聲孔下方的所述犧牲層，以在所述振動膜和所述背板之間形成空腔，同時去除所述釋放孔下方剩余的所述犧牲層中靠近所述空腔并且與所述背板相接觸的一端的頂角；

所述背板位于所述頂角缺失部位上方的邊緣位置還進一步設置有由所述邊緣位置向外延伸的擴展區域，用于增加所述背板在所述頂角缺失部位的邊緣平滑程度。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，去除所述頂角部位的形狀為向遠離所述空腔方向凹陷的凹槽，所述釋放孔位于所述凹槽的上方。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述凹槽的表面和所述背板的表面之間的夾角為鈍角。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述背板上形成所述聲孔和所述釋放孔的方法包括：

在所述背板上形成光刻膠層；

提供光罩，在所述光罩上形成有與所述聲孔和所述釋放孔對應的掩膜圖案；

選用所述光罩對所述光刻膠層進行曝光、顯影，以在所述光刻膠層中形成所述掩膜圖案；

以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述背板，以形成所述聲孔和所述釋放孔。

9.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求1至4之一所述的MEMS器件。