[發(fā)明專利]一種柔性阻變式存儲器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711036962.2 | 申請日： | 2017-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN107863442A | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周曄;任意;韓素婷 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,劉文求 |
| 地址： | 518060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 柔性 阻變式 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種柔性阻變式存儲器，其特征在于，包括柔性頂電極、柔性底電極以及位于所述柔性頂電極與柔性底電極之間的活性層，所述活性層由二硫化鉬量子點和聚乙烯吡咯烷酮制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性阻變式存儲器，其特征在于，所述活性層中，二硫化鉬量子點與聚乙烯吡咯烷酮的質(zhì)量比為1:20~1:50。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性阻變式存儲器，其特征在于，所述柔性頂電極及柔性底電極的材料均為Al、Cu、Au或Pt。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的柔性阻變式存儲器，其特征在于，所述柔性頂電極及柔性底電極均是厚度為80~100nm的金屬薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性阻變式存儲器，其特征在于，所述二硫化鉬量子點的粒徑為2-10nm。
6.一種柔性阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供一柔性底電極；
制備二硫化鉬量子點與聚乙烯吡咯烷酮的混合溶液，并將所述混合溶液沉積在所述柔性底電極上，退火得到活性層；
在所述活性層上制備一柔性頂電極，得到所述柔性阻變式存儲器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，所述混合溶液中，二硫化鉬量子點的質(zhì)量濃度為0.1 ~0.5 mg/mL，聚乙烯吡咯烷酮的質(zhì)量濃度為2 ~25 mg/mL。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，將所述混合溶液沉積在所述柔性底電極上前，對所述混合溶液進行超聲波處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性阻變式存儲器的制備方法，其特征在于，所述混合溶液以旋涂的方式沉積在所述柔性底電極上。
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