[發(fā)明專利]一種帶有可調(diào)型場(chǎng)板的高壓二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711036397.X | 申請(qǐng)日: | 2017-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107887427B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張春偉;李陽(yáng);付小倩;李志明;岳文靜;李威;王靖博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 濟(jì)南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L29/06 | 分類號(hào): | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/861 |
| 代理公司: | 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人: | 趙妍 |
| 地址: | 250022 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 帶有 可調(diào) 型場(chǎng)板 高壓 二極管 | ||
本發(fā)明提出了一種帶有可調(diào)型場(chǎng)板的高壓二極管,包括陰極金屬,陽(yáng)極金屬,場(chǎng)氧化層和位于場(chǎng)氧化層下方的漂移區(qū),在所述場(chǎng)氧化層的表面設(shè)置若干可調(diào)型場(chǎng)板,相鄰兩個(gè)可調(diào)型場(chǎng)板之間間隔設(shè)定距離;每一個(gè)可調(diào)型場(chǎng)板均連接調(diào)節(jié)電容;通過(guò)調(diào)節(jié)可調(diào)型場(chǎng)板和調(diào)節(jié)電容的正負(fù)電極的尺寸,能夠調(diào)節(jié)可調(diào)型場(chǎng)板上的感應(yīng)電位和感應(yīng)電荷量,使得漂移區(qū)內(nèi)獲得均勻的表面電場(chǎng)分布。該結(jié)構(gòu)器件可以改善器件漂移區(qū)表面電場(chǎng)分布,具有很高的耐壓能力、很小的正向壓降和很小的反向恢復(fù)時(shí)間。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,更具體的說(shuō),是涉及一種適用于高壓應(yīng)用的帶有可調(diào)型場(chǎng)板的高壓二極管。
背景技術(shù)
高壓二極管具有耐壓高、電流能力強(qiáng)、可集成等優(yōu)點(diǎn),并且更易與CMOS工藝兼容,因此在智能功率集成電路中得到廣泛的應(yīng)用。目前高壓二極管設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是如何合理緩和擊穿電壓與正向壓降以及反向恢復(fù)時(shí)間之間的矛盾,并且保證其有較高的穩(wěn)定性。當(dāng)前人們對(duì)高壓二極管研究的焦點(diǎn)主要集中在其漂移區(qū)濃度的設(shè)計(jì),通過(guò)埋層技術(shù)減小器件表面電場(chǎng)強(qiáng)度(Reducd Sfurace Field,簡(jiǎn)稱RESURF),以及電阻場(chǎng)極板、Super Junction、漂移區(qū)漸變摻雜等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)擊穿電壓與正向壓降以及反向恢復(fù)時(shí)間的折中。
高壓二極管器件在芯片中發(fā)揮更好的作用,改善器件的擊穿電壓和正向壓降以及反向恢復(fù)時(shí)間關(guān)系是高壓二極管設(shè)計(jì)的一個(gè)重要研究課題。場(chǎng)板技術(shù)可以改善高壓二極管器件的擊穿電壓和正向壓降以及反向恢復(fù)時(shí)間的折中關(guān)系,然而,傳統(tǒng)場(chǎng)板與器件的陰極相連接,具有固定的電位,而器件在耐壓狀態(tài)下漂移區(qū)表面的電位是沿著器件長(zhǎng)度方向變化的,因此,傳統(tǒng)場(chǎng)板在器件耐壓狀態(tài)下的感應(yīng)電荷在器件長(zhǎng)度方向上分布不均勻,使得器件漂移區(qū)不同位置處受到場(chǎng)板的影響大小不同,所以傳統(tǒng)場(chǎng)板無(wú)法使器件漂移區(qū)獲得均勻的電場(chǎng)分布。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了解決上述問(wèn)題,提出了一種帶有可調(diào)型場(chǎng)板的高壓二極管,該器件中各場(chǎng)板的作用大小可通過(guò)器件結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)進(jìn)行調(diào)節(jié),改善了漂移區(qū)電場(chǎng)分布不均勻的問(wèn)題,器件具有更高的耐壓能力、更小的正向壓降和更小的反向恢復(fù)時(shí)間。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
本發(fā)明公開(kāi)了一種帶有可調(diào)型場(chǎng)板的高壓二極管,包括陰極金屬,場(chǎng)氧化層和位于場(chǎng)氧化層下方的漂移區(qū),其特征在于,在所述場(chǎng)氧化層的表面設(shè)置若干可調(diào)型場(chǎng)板,相鄰兩個(gè)可調(diào)型場(chǎng)板之間間隔設(shè)定距離;
每一個(gè)可調(diào)型場(chǎng)板均連接調(diào)節(jié)電容;所述可調(diào)型場(chǎng)板與調(diào)節(jié)電容的正電極相連接,在所述調(diào)節(jié)電容正電極上方設(shè)置調(diào)節(jié)電容負(fù)電極;所有調(diào)節(jié)電容的負(fù)電極通過(guò)金屬互連線與陰極金屬連接;
通過(guò)設(shè)置可調(diào)型場(chǎng)板和調(diào)節(jié)電容的正負(fù)電極的尺寸,能夠調(diào)節(jié)可調(diào)型場(chǎng)板上的感應(yīng)電位和感應(yīng)電荷量,使得漂移區(qū)內(nèi)獲得均勻的表面電場(chǎng)分布。
進(jìn)一步地,所述調(diào)節(jié)電容的正、負(fù)電極大小相等,完全對(duì)齊。
進(jìn)一步地,所述器件表面的空隙采用絕緣介質(zhì)層填充。
進(jìn)一步地,所述可調(diào)型場(chǎng)板和調(diào)節(jié)電容的長(zhǎng)度和/或?qū)挾雀鶕?jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。
進(jìn)一步地,所述可調(diào)型場(chǎng)板沿寬度方向斷續(xù)設(shè)置,將寬度方向上的可調(diào)型場(chǎng)板分成若干個(gè)可調(diào)型場(chǎng)板單元,每一個(gè)可調(diào)型場(chǎng)板單元均連接相應(yīng)的調(diào)節(jié)電容單元。
本發(fā)明進(jìn)一步公開(kāi)了一種應(yīng)用于打印機(jī)、電動(dòng)機(jī)或者平板顯示器上的驅(qū)動(dòng)芯片,采用上述帶有可調(diào)型場(chǎng)板的高壓二極管。
本發(fā)明進(jìn)一步公開(kāi)了一種打印機(jī),采用上述的驅(qū)動(dòng)芯片。
本發(fā)明進(jìn)一步公開(kāi)了一種電動(dòng)機(jī),采用上述的驅(qū)動(dòng)芯片。
本發(fā)明進(jìn)一步公開(kāi)了一種平板顯示器,采用上述的驅(qū)動(dòng)芯片。
本發(fā)明有益效果:
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
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