[發明專利]一種有機發光器件及制備方法

在審

• 申請號: 201711035650.X
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107871825A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 周燕紅
• 申請（專利權）人: 周燕紅
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司11659
• 代理人: 徐鵬飛

技術領域

本發明涉及有機發光器件領域，尤其涉及機發光器件的陽極改性。

背景技術

有機發光二極管(organic light emitting diode,OLED)具有自發光、視角廣、發光效率高、色域廣和面板薄等特性，成為繼液晶顯示技術后最有發展前景的顯示技術。其發光原理是在電場的作用下，將電子和空穴分別從陰極和陽極注入到有機發光層中并復合，產生激子，有機發光層中的發光分子受激發并發光。

現有技術中，通常OLED器件包括基板、設于基板上的陽極層、設于陽極上的有機層和設于有機層上的陰極層，其中通常采用ITO電極作為陽極，參見圖1。

由于ITO和有機層的接觸界面的晶格匹配度較差，導致空穴傳輸受阻，進而降低器件的發光效率。

發明內容

本發明的目的是公開一種有機發光器件，解決了因陽極和有機層接觸界面晶格匹配度較差導致的OLED發光效率不高的問題；此外，本發明還提出了該OLED器件的制備方法。

本發明解決上述技術問題所采用的技術方案是：

一方面，本發明實施例提供了一種OLED器件的制備方法，包括以下步驟：

提供覆蓋有陽極層的基板；

在陽極層上沉積輔助金屬層；

在輔助金屬層上沉積有機層；

在有機層上沉積陰極層。

其中，輔助金屬層為透光性好的不活躍金屬Au，厚度范圍為2～10nm，優選的，輔助金屬層厚度為5nm；

所述有機層至少包括有機發射層；

進一步的，有機層還包括空穴注入層、電子阻擋層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層中的一種或幾種組合。

另一方面，本發明實施例提供了一種OLED器件，該OLED器件包括基板及依次設置在基板上的陽極層、輔助金屬層、有機層和陰極層。

其中，輔助金屬層位于陽極和有機層之間，輔助金屬層為Au，優選厚度為5nm；

有機層包括空穴注入層、電子阻擋層、空穴傳輸層、有機發射層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層；

陽極層包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)中的一種。

附圖說明

圖1為現有技術OLED的示意性截面圖；

圖2為實施例一中制備OLED的方法的流程圖；

圖3為本發明實施例二中的OLED的示意性截面圖；

圖4為本發明實施例三中的OLED的示意性截面圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部。

實施例一

圖2是本發明實施例一提供的OLED器件的制備方法的流程圖。

步驟S21、提供覆蓋由陽極層(ITO或IZO)的基板，并對陽極層進行預處理，包括清洗、研磨和刻蝕等。

步驟S22、在預處理后的陽極層上，沉積輔助金屬層。其中輔助金屬層為透光性好的不活躍金屬Au，厚度范圍為2～10nm，優選為5nm。

步驟S23、在輔助金屬層上沉積有機層。其中，該有機層可以僅包含有機發射層，或有機發射層外，還包括空穴注入層、電子阻擋層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子注入層中的一種或幾種組合。

步驟S24、在有機層上沉積陰極層。所述陰極層可以是銀(Ag)、鋁(Al)或銀-鎂(Ag-Mg)合金，但不限于此。

實施例二

圖3為本發明實施例二中的OLED的示意性截面圖，參照圖3，OLED器件100包括基板110、陽極層120、輔助金屬層130、有機層140和陰極層150；其中輔助金屬層130、有機層140和陰極層150依次順序形成于覆蓋有陽極層的基板上。

輔助金屬層130位于陽極層120和有機層140之間，為透光性好的不活躍金屬Au，厚度優選為5nm。

陽極層包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)中的一種。

實施例三

圖4為本發明實施例三中的OLED的示意性截面圖，此實施例的OLED除了有機層之外，在結構上類似于實施例1中的OLED。因此，以下描述將主要著重于有機層。

參照圖4，OLED器件100包括基板110、陽極層120、輔助金屬層130、有機層140和陰極層150；其中輔助金屬層130、有機層140和陰極層150依次順序形成于覆蓋有陽極層的基板上。