[發明專利]單面濕法黑硅硅片的制備方法

有效

• 申請號: 201711035349.9
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107863398B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 宮龍飛;吉鑫;姜小松;阮文娟;金善明
• 申請（專利權）人: 揚州協鑫光伏科技有限公司;蘇州協鑫光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王樂

本發明涉及一種單面濕法黑硅硅片的制備方法，包括如下步驟：將若干個硅片以兩兩相并的方式放置，其中，兩兩相并的兩個硅片之間的距離為0.1mm～3mm；采用動態反應對硅片進行雙面拋光，得到雙面拋光后的硅片；采用濕法刻蝕對雙面拋光后的硅片進行單面制絨，其中，濕法刻蝕中的反應過程均靜置，得到單面制絨后的硅片；以及將兩兩相并的單面制絨后的硅片進行分離，得到單面濕法黑硅硅片。上述單面濕法黑硅硅片的制備方法中，由于硅片以兩兩相并的方式放置以進行雙面拋光以及單面制絨，且濕法刻蝕中的反應過程均靜置，能夠阻止在硅片背面形成絨面結構。因此，分離之后能夠直接得到單面濕法黑硅硅片，無需后續再去除硅片背面的絨面，從而簡化了制備方法。

技術領域

本發明涉及硅片制造技術領域，特別是涉及一種單面濕法黑硅硅片的制備方法。

背景技術

黑硅技術由于陷光效果好、能大幅提升多晶硅片的轉化效率、并能解決金剛線切多晶硅片的絨面難題，廣受多晶電池廠家的青睞。傳統的槽式濕法黑硅中，先對硅片進行拋光，再插入花籃中，浸沒在溶液中進行制絨，所以兩面皆可形成黑硅絨面。但是在電池的制造中，背面的絨面結構對電池沒有任何作用，反而會影響其背鋁的鈍化效果，所以在電池制備中，硅片背面的黑硅絨面需要被去除。因此，傳統的槽式濕法黑硅的工藝復雜，不利于應用。

發明內容

基于此，有必要針對如何簡化濕法黑硅工藝的問題，提供一種能夠簡化制備方法的單面濕法黑硅硅片的制備方法。

一種單面濕法黑硅硅片的制備方法，包括如下步驟：

將若干個硅片以兩兩相并的方式放置，其中，兩兩相并的兩個硅片之間的距離為0.1mm～3mm；

采用動態反應對所述硅片進行雙面拋光，得到雙面拋光后的硅片；

采用濕法刻蝕對所述雙面拋光后的硅片進行單面制絨，其中，濕法刻蝕中的反應過程均靜置，得到單面制絨后的硅片；以及

將兩兩相并的所述單面制絨后的硅片進行分離，得到單面濕法黑硅硅片。

上述單面濕法黑硅硅片的制備方法中，由于硅片以兩兩相并的方式放置以進行雙面拋光以及單面制絨，且濕法刻蝕中的反應過程均靜置，能夠阻止在硅片背面形成絨面結構。因此，分離之后能夠直接得到單面濕法黑硅硅片，無需后續再去除硅片背面的絨面，從而簡化了制備方法，有利于應用。

在其中一個實施例中，對所述硅片進行雙面拋光的步驟中，采用堿拋光液進行雙面拋光，所述堿拋光液的濃度為2％～30％，拋光溫度為30℃～90℃，拋光時間為1min～10min。

在其中一個實施例中，對所述硅片進行雙面拋光的步驟中，采用酸拋光液進行雙面拋光，所述酸拋光液為硝酸和氫氟酸的混合溶液，其中，HNO₃與HF的摩爾比為1:1～3:1。

在其中一個實施例中，對所述硅片進行雙面拋光之后，還包括以下步驟：

依次對雙面拋光后的硅片進行第一次純水清洗、酸清洗以及第二次純水清洗；

其中，進行第一次純水清洗的時間為50s～200s；采用1％～6％的硝酸溶液或者硫酸溶液進行酸清洗，酸清洗的時間為20s～200s；進行第二次純水清洗的時間為50s～200s。

在其中一個實施例中，采用濕法刻蝕對所述雙面拋光后的硅片進行單面制絨的步驟為：

在靜置條件下，對所述雙面拋光后的硅片進行金屬納米顆粒沉積，得到外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片；

在靜置條件下，對所述外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片進行金屬納米顆粒輔助刻蝕，得到外表面具有納米孔結構的硅片；以及

在靜置條件下，對所述外表面具有納米孔結構的硅片進行酸刻蝕，得到外表面具有亞微米孔結構的硅片。