[發明專利]用于制造半導體芯片的方法及半導體封裝構造

有效

• 申請號: 201711034938.5
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107895716B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;劉兵

本申請涉及半導體領域，公開了一種用于制造半導體芯片的方法，包括：在晶圓的正面上貼附抗蝕膜；對所述正面應用激光切割以在所述正面上形成切割槽，其中所述切割槽在所述正面上劃出多個芯片，所述正面包括所述多個芯片的多個有源面；對所述晶圓進行第一模式的第一等離子體刻蝕并刻蝕至第一深度；其中所述芯片的有源面的邊緣和角隅被倒角；對所述晶圓進行第二模式的第二等離子體刻蝕并刻蝕至第二深度；對所述晶圓進行所述第一模式的第三等離子刻蝕，其中所述晶圓對應于所述多個芯片的背面的邊緣和角隅位置被倒角；以及去除所述抗蝕膜。

技術領域

本發明涉及半導體芯片制造及封裝領域，具體地，涉及一種用于制造半導體芯片的方法以及半導體封裝構造。

背景技術

半導體封裝通常包括半導體基板和位于基板上的芯片，通過焊球或焊線等將芯片與基板鍵合以實現兩者的電連接。在制造半導體封裝過程中還會注入塑封料來加固芯片與基板之間的接合并保護芯片與基板之間的電連接。塑封料的注入需要對半導體封裝進行熱處理。由于基板的熱膨脹系統比芯片的熱膨脹系數大得多，當半導體封裝在熱處理過程中被冷卻時，基板的收縮率比芯片的收縮率快，這會使得芯片翹曲。而芯片翹曲導致沿芯片背面較大的應力，在邊緣處尤其如此。在芯片切割過程中一般總是會伴隨著表面缺陷，例如缺口、刮痕等，而芯片的邊緣在后續的半導體封裝過程(例如熱處理)中更易遇到裂紋等問題。因此，期望能夠降低芯片邊緣受到的應力。

發明內容

本申請的目的是提供一種用于制造半導體芯片的方法及半導體封裝構造。

為了實現上述目的，在第一方面，本申請的實施方式提供一種用于制造半導體芯片的方法，包括：在晶圓的正面上貼附抗蝕膜；對所述正面應用激光切割以在所述正面上形成切割槽，其中所述切割槽在所述正面上劃出多個芯片，所述正面包括所述多個芯片的多個有源面；對所述晶圓進行第一模式的第一等離子體刻蝕并刻蝕至第一深度；其中所述芯片的有源面的邊緣和角隅被倒角；對所述晶圓進行第二模式的第二等離子體刻蝕并刻蝕至第二深度；對所述晶圓進行所述第一模式的第三等離子刻蝕，其中所述晶圓對應于所述多個芯片的背面的邊緣和角隅位置被倒角；以及去除所述抗蝕膜。

可選地，所述第一模式的第一和第三等離子體刻蝕相對于所述第二模式的第二等離子體刻蝕具有較高各向同性。

可選地，在所述第一模式的第一和第三等離子體刻蝕是生成低聚合物的等離子體刻蝕；在所述第二模式的第二等離子體刻蝕是生成高聚合物的等離子體刻蝕。

可選地，在所述第一模式的第三等離子體刻蝕過程中，同時由所述晶圓切割出多個芯片。

可選地，所述倒角包括弧形倒角，所述弧形倒角使得所述芯片的所述有源面的角隅在所述正面的方向和所述芯片的對角線剖切方向皆為圓弧。

可選地，所述倒角包括弧形倒角，所述倒角的圓弧長度的范圍介于2微米至50微米之間。

可選地，所述倒角包括直線倒角。

在第二方面，本申請的實施方式提供一種半導體封裝構造，包括：基板，包括設置在第一表面上的第一焊盤、第二表面上的端子焊盤以及電連接所述第一焊盤和所述端子焊盤的導通孔；芯片，設置在所述基板的所述第一表面上，所述芯片具有一有源面和一相對的背面，所述芯片包括設置在有源面上的第二焊盤，所述第二焊盤與所述第一焊盤鍵合；其中，所述芯片的所述有源面的邊緣和角隅以及所述背面的邊緣和角隅皆被倒角；底部填充料，填充所述有源面與所述第一表面之間的空間；塑封料，形成于所述基板的所述第一表面上，以密封至少所述芯片的側邊；以及焊球，植接于所述端子焊盤。

可選地，所述倒角包括弧形倒角，所述弧形倒角使得所述芯片的所述有源面的角隅在所述正面的方向和所述芯片的對角線剖切方向皆為圓弧。