[發明專利]一種陣列基板、顯示面板及電子設備有效
| 申請號: | 201711033463.8 | 申請日: | 2017-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN107680976B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 周一安;杜雷;許文欽 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 電子設備 | ||
本發明提供一種陣列基板、顯示面板及電子設備,陣列基板包括襯底基板、薄膜晶體管和遮光金屬層,遮光金屬層位于薄膜晶體管遠離襯底基板一側;陣列基板還包括多條輔助線、多條數據連接線和驅動芯片;其中,輔助線位于數據線遠離襯底基板一側,輔助線與數據線一一對應,輔助線和與之一一對應的數據線之間間隔有第一絕緣層,并存在至少兩個輔助線通孔使兩者電連接;數據連接線的延伸方向與掃描線延伸方向一致,數據連接線的第一端通過數據連接線通孔與數據線電連接,數據連接線的第二端與驅動芯片電連接;輔助線與遮光金屬層同層設置。本發明以實現減小甚至消除數據信號失真,提高顯示面板和電子設備的顯示效果。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及電子設備。
背景技術
對于薄膜晶體管顯示技術,一般通過掃描線來控制打開薄膜晶體管,數據線上傳輸的數據信號通過薄膜晶體管傳輸至像素單元的像素電極中,像素電極和公共電極之間產生電場,驅動顯示功能層實現顯示。其中,顯示功能層可以包括有機發光材料、液晶材料或電泳材料等。
現有技術中,為了實現窄邊框,陣列基板的一種常用的布線方式為T-wire方式,示例性地,可以將沿第一方向延伸并沿第二方向排列的數據線通過數據連接線與驅動芯片電連接,將沿第二方向延伸并沿第一方向排列的掃描線直接與驅動芯片電連接,由于數據信號從驅動芯片傳導到一個特定像素單元需要經過數據連接線以及數據線,阻抗較大,導致數據信號存在一定程度的失真,影響了顯示效果。
發明內容
本發明提供一種陣列基板、顯示面板及電子設備,以實現減小甚至消除數據信號失真,提高顯示面板和電子設備的顯示效果。
第一方面,本發明實施例提供一種陣列基板,包括顯示區和位于所述顯示區外圍的非顯示區,多條數據線與多條掃描線在所述顯示區中交叉出多個陣列排布的像素單元,
所述陣列基板包括襯底基板、薄膜晶體管和遮光金屬層,所述遮光金屬層位于所述薄膜晶體管遠離所述襯底基板一側;
所述陣列基板還包括多條輔助線、多條數據連接線和驅動芯片;其中,所述輔助線位于所述數據線遠離所述襯底基板一側,所述輔助線與所述數據線一一對應,所述輔助線和與之一一對應的所述數據線之間間隔有第一絕緣層,并存在至少兩個輔助線通孔使兩者電連接;所述數據連接線的延伸方向與所述掃描線延伸方向一致,所述數據連接線的第一端通過數據連接線通孔與所述數據線電連接,所述數據連接線的第二端與所述驅動芯片電連接;
所述輔助線與所述遮光金屬層同層設置。
第二方面,本發明實施例提供一種顯示面板,包括第一方面所述的陣列基板。
第三方面,本發明實施例提供一種電子設備,包括第二方面所述的顯示面板。
本發明實施例提供的陣列基板中,遮光金屬層位于薄膜晶體管遠離襯底基板一側,防止了光線照射到薄膜晶體管的半導體層,從而防止薄膜晶體管在光照下產生光電流,提高了薄膜晶體管的使用穩定性。現有技術中,由于窄邊框陣列基板的數據信號從驅動芯片傳導到一個特定像素單元需要經過數據連接線以及數據線,數據線具有一定的阻抗較大,導致其傳輸的數據信號存在一定程度的失真,影響了顯示效果。本發明實施例提供的陣列基板還包括多條輔助線,輔助線與數據線一一對應并存在至少兩個輔助線通孔使兩者電連接,因此位于兩個輔助線通孔之間的輔助線和數據線形成并聯結構,這種并聯結構相對于數據線來說,在數據信號傳輸時具有更小的阻抗,從而減小甚至消除了數據信號失真。另一方面,將輔助線與遮光金屬層同層設置,輔助線可以包含與遮光金屬層相同的材料,遮光金屬層使用金屬材料制作,金屬材料具有良好的導電性,因此可以比較好地減小甚至消除了數據信號失真,同時,輔助線的設置并未增加制作步驟和掩膜版,能夠在不降低成產率、不增加生產成本的前提下提高應用本申請的陣列基板的顯示面板和電子設備的顯示效果。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





