[發(fā)明專利]含 4,4’-二(甲氧基苯基)氨基的噻吩螺環(huán)類化合物及其衍生物和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711033001.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107698605B | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘鋒;吳朝新 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 寧波博潤(rùn)新材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C07D495/10 | 分類號(hào): | C07D495/10;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 謝瀟 |
| 地址: | 315040 浙江省寧波市*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 甲氧基 苯基 氨基 噻吩 螺環(huán)類 化合物 及其 衍生物 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開的含4,4’?二(甲氧基苯基)氨基的噻吩螺環(huán)類化合物及其衍生物,其化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有共軛體系的環(huán)戊二噻吩,與芴形成螺狀結(jié)構(gòu),并以噻吩螺環(huán)為中心核,外圍為以4,4’?二(甲氧基苯基)氨基取代的修飾結(jié)構(gòu)。該化合物具有良好的平面性和穩(wěn)定性,通過旋涂的方法可以形成有序的堆疊,制備得到良好的薄膜,成本低;同時(shí)分子間的載流子傳輸不僅有S…S、S…π路徑,而且體系晶體更易形成π…π堆積;加上較寬的能帶隙和穩(wěn)定的光敏活性,其器件遷移率會(huì)提高,傳輸性質(zhì)更好;另外具有良好的疏水性,作為空穴傳輸材料使用時(shí),有助于電池穩(wěn)定性的提升,賦予電池較高的能量轉(zhuǎn)換效率、開路電壓、短路電流和填充因子。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及含4,4’-二(甲氧基苯基)氨基的噻吩螺環(huán)類化合物及其衍生物和應(yīng)用。
背景技術(shù)
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池包括透明導(dǎo)電襯底、電子傳輸層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層和金屬電極。鈣鈦礦材料本身既可以傳輸電子也可以傳輸空穴,但是為了實(shí)現(xiàn)更高的光電轉(zhuǎn)換效率,一般都需要采用空穴傳輸層以增強(qiáng)空穴傳輸能力。空穴傳輸層具有優(yōu)化界面、調(diào)節(jié)陽(yáng)極與空穴傳輸層之間的能級(jí)匹配性、提高空穴的注入率、降低驅(qū)動(dòng)電壓等作用,有助于獲得更高的能量轉(zhuǎn)化效率。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池采用的空穴傳輸材料有很多,如:spiro-MeOTAD、PTAA、P3TH、CuI、PEDOT:PSS。目前,普遍使用的空穴傳輸材料是spiro-MeOTAD。Spiro-MeOTAD的空穴傳輸性能良好、性質(zhì)較穩(wěn)定,但是spiro-MeOTAD具有合成步驟復(fù)雜、難以提純、成本較高、價(jià)格昂貴、空穴遷移率低等缺點(diǎn)。而其他空穴傳輸材料也各有缺點(diǎn)。因此開發(fā)新的空穴傳輸材料是十分必要的,這種材料的開發(fā)將成為鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究熱點(diǎn)之一。鑒于此,本發(fā)明提出含4,4’-二(甲氧基苯基)氨基的噻吩螺環(huán)類化合物及其衍生物和應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供含4,4’-二(甲氧基苯基)氨基的噻吩螺環(huán)類化合物及其衍生物和應(yīng)用。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:結(jié)構(gòu)通式如式I所示的化合物,
其中,R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’均選自H、烷烴基、任意一個(gè)氫被取代的亞烷基、帶有苯基的烷基鏈、烷氧基、烷硫基中的至少一種。
本發(fā)明公開的含4,4’-二(甲氧基苯基)氨基的噻吩螺環(huán)類化合物及其衍生物,其化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有共軛體系的環(huán)戊二噻吩,與芴形成螺狀結(jié)構(gòu),并以噻吩螺環(huán)為中心核,外圍為以4,4’-二(甲氧基苯基)氨基取代的修飾結(jié)構(gòu)。
該化合物的中心核結(jié)構(gòu)為螺[戊環(huán)[1,2-b:4,3-b’]二噻吩-7,9’-芴]。
作為優(yōu)選,R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’均選自H、甲氧基中的至少一種。
上述化合物在制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的空穴傳輸層或有機(jī)發(fā)光二極管的空穴傳輸層中的應(yīng)用。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
本發(fā)明公開的含4,4’-二(甲氧基苯基)氨基的噻吩螺環(huán)類化合物及其衍生物具有良好的平面性和穩(wěn)定性,通過旋涂的方法可以形成有序的堆疊,制備得到良好的薄膜,成本低;同時(shí)分子間的載流子傳輸不僅有S…S、S…π路徑,而且體系晶體更易形成π…π堆積;加上較寬的能帶隙和穩(wěn)定的光敏活性,其器件遷移率會(huì)提高,傳輸性質(zhì)更好;另外具有良好的疏水性, 作為空穴傳輸材料使用時(shí),有助于電池穩(wěn)定性的提升。
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