[發明專利]集成在高低壓隔離結構上的自舉結構及自舉電路

有效

• 申請號: 201711031515.8
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107910326B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;王浩;張龍;祝靖;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種集成在高低壓隔離結構上的自舉結構，包括兼做高低壓隔離結構襯底的第一摻雜類型襯底(01)、兼做高低壓隔離結構漂移區的第二摻雜類型漂移區(06)及兼做高低壓隔離結構襯底接觸阱的第一摻雜類型襯底接觸阱(08)，其特征在于，在第一摻雜類型襯底接觸阱(08)內設有作為襯底接觸電極的第一摻雜類型接觸區(14)，在第二摻雜類型漂移區(06)上分別設有自舉結構正電極和自舉結構負電極，所述自舉結構正電極為設在第二摻雜類型漂移區(06)內的一個第二摻雜類型接觸區(11)，所述自舉結構負電極為設在第二摻雜類型漂移區(06)內的另一個第二摻雜類型接觸區(12)，并且，自舉結構正電極與第一摻雜類型接觸區(14)相鄰，在第一摻雜類型襯底(01)內設有第一摻雜類型埋層(02)且所述第一摻雜類型埋層BP(02)位于第二摻雜類型漂移區(06)與第一摻雜類型襯底接觸阱(08)的交界下方，在第一摻雜類型襯底(01)內設有第二摻雜類型埋層(03)且所述第二摻雜類型埋層(03)位于自舉結構負電極下方。

2.根據權利要求1所述的集成在高低壓隔離結構上的自舉結構，其特征在于，在第二摻雜類型漂移區(06)內的一個第二摻雜類型接觸區(11)上連接有正電極金屬接觸(17)，在第二摻雜類型漂移區(06)內的另一個第二摻雜類型接觸區(12)上連接有負電極金屬接觸(18)，第一摻雜類型接觸區(14)上連接有襯底接觸金屬接觸(16)。

3.根據權利要求1所述的集成在高低壓隔離結構上的自舉結構，其特征在于，第一摻雜類型埋層(02)延伸到第二摻雜類型漂移區(06)底部的長度由自舉結構的關斷電壓決定，延伸長度越長，關斷電壓電壓越低。

4.一種基于權利要求1所述自舉結構的自舉電路，包括自舉結構和自舉電容(20)，其特征在于，所述自舉結構包括兼做高低壓隔離結構襯底的第一摻雜類型襯底(01)、兼做高低壓隔離結構漂移區的第二摻雜類型漂移區(06)及兼做高低壓隔離結構襯底接觸阱的第一摻雜類型襯底接觸阱(08)，其特征在于，在第一摻雜類型襯底接觸阱(08)內設有作為襯底接觸電極的第一摻雜類型接觸區(14)，在第二摻雜類型漂移區(06)上分別設有自舉結構正電極和自舉結構負電極，所述自舉結構正電極為設在第二摻雜類型漂移區(06)內的一個第二摻雜類型接觸區(11)，所述自舉結構負電極為設在第二摻雜類型漂移區(06)內的另一個第二摻雜類型接觸區(12)，并且，自舉結構正電極與第一摻雜類型接觸區(14)相鄰；在自舉結構正電極上連接有二極管且二極管的負極與自舉結構正電極連接；所述自舉電容(20)與所述自舉結構負電極連接，在第一摻雜類型襯底(01)內設有第一摻雜類型埋層(02)且所述第一摻雜類型埋層BP(02)位于第二摻雜類型漂移區(06)與第一摻雜類型襯底接觸阱(08)的交界下方，在第一摻雜類型襯底(01)內設有第二摻雜類型埋層(03)且所述第二摻雜類型埋層(03)位于自舉結構負電極下方。

5.根據權利要求4所述的自舉電路，其特征在于，在自舉結構正電極上連接的二極管為低壓二極管。