[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201711031466.8 | 申請日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN108022936B | 公開(公告)日: | 2022-04-05 |
| 發明(設計)人: | 姜韓仙;孫眩鎬;徐景韓;李尚烈;呂煥國;盧承旭 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司;LG伊諾特有限公司;LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
包括凹部的薄膜晶體管(TFT)陣列基板;和
位于所述凹部中的發光器件,所述發光器件包括第一電極和第二電極,
其中所述發光器件包括第一部分和與所述第一部分相對的第二部分,所述第一部分包括所述第一電極和所述第二電極,
其中所述第一部分設置為比所述第二部分更遠離所述凹部的底表面,
其中所述薄膜晶體管陣列基板還包括平坦化層,所述平坦化層包括所述凹部,并且
其中所述第一電極和所述第二電極的其中之一設置在與所述平坦化層的頂部相同的平面上。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述發光器件的第二部分設置在所述第一部分與所述凹部的底表面之間。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述發光器件的第二部分面對所述凹部的底表面。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述凹部從所述平坦化層的頂表面凹入地設置。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中所述凹部包括設置在所述凹部的底表面與所述平坦化層的頂表面之間的傾斜表面。
6.根據權利要求4所述的顯示裝置,還包括:
像素電極圖案,所述像素電極圖案沉積在所述平坦化層的頂表面上并且直接電連接至所述發光器件的第一電極;和
公共電極圖案,所述公共電極圖案沉積在所述平坦化層的頂表面上并且直接電連接至所述發光器件的第二電極。
7.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中所述薄膜晶體管陣列基板還包括像素,所述像素包括所述凹部和所述發光器件,并且
其中所述像素包括:
被所述平坦化層覆蓋的驅動薄膜晶體管;
像素電極圖案,所述像素電極圖案通過設置在所述平坦化層中的第一接觸孔電連接至所述驅動薄膜晶體管,并且直接電連接至所述發光器件的第一電極;和
公共電極圖案,所述公共電極圖案直接電連接至所述發光器件的第二電極。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中所述薄膜晶體管陣列基板還包括:
驅動電源線,所述驅動電源線電連接至所述驅動薄膜晶體管并且被所述平坦化層覆蓋;和
公共電源線,所述公共電源線電連接至所述公共電極圖案并且被所述平坦化層覆蓋,
其中所述公共電極圖案通過設置在所述平坦化層中的第二接觸孔電連接至所述公共電源線,并且直接電連接至所述發光器件的第二電極。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中所述薄膜晶體管陣列基板還包括填充物,所述填充物填充到位于所述凹部中的發光器件的外周部分中。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中所述填充物直接接觸所述像素電極圖案和所述公共電極圖案。
11.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中所述發光器件包括:
第一半導體層,所述第一半導體層面對所述凹部的底表面;
位于所述第一半導體層的一側上的有源層;和
位于所述有源層上的第二半導體層,
所述第一電極設置在所述第二半導體層上并且連接至所述像素電極圖案,并且
所述第二電極設置在所述第一半導體層的另一側上并且連接至所述公共電極圖案。
12.根據權利要求1至11之一所述的顯示裝置,其中所述薄膜晶體管陣列基板還包括位于所述發光器件與所述凹部的底表面之間的粘合劑層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





