[發(fā)明專利]一種表貼式永磁轉(zhuǎn)子的極間填充塊布置結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711030650.0
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107579615A
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林英哲;胡思寧;周亦駿;吳立華;董繼勇
• 申請（專利權(quán)）人: 南京磁谷科技有限公司
• 主分類號: H02K1/27
• 分類號: H02K1/27;H02K1/28
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務(wù)所32237
• 代理人: 賀翔

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及一種表貼式永磁轉(zhuǎn)子的極間填充塊布置結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

表貼式永磁轉(zhuǎn)子中，不同磁極間往往需要設(shè)置隔磁措施，常用手段有：1)預(yù)留極間間隙，不做任何填充；2)使用非導(dǎo)磁材料作為填充物填充極間間隙。為了防止磁瓦與芯軸之間產(chǎn)生相對轉(zhuǎn)動，在線速度較低時，常采用磁瓦專用粘結(jié)劑將之與芯軸固定；當(dāng)線速度較高時，常將極間填充塊與芯軸使用螺釘連接，然后再外圍以較大的過盈量裝配保護(hù)套，確保磁瓦與芯軸不會產(chǎn)生相對轉(zhuǎn)動，同時保護(hù)磁瓦和填充塊在離心力下不至飛出。

在高轉(zhuǎn)速以及高溫的場合下，由于螺釘對極間填充塊的約束，以及離心力、熱膨脹的共同作用，磁瓦和極間填充塊外表面的徑向偏移量是不相同的，而偏移量的不同會在護(hù)套上產(chǎn)生不均勻的應(yīng)力，不均勻的應(yīng)力峰值有可能接近或高于保護(hù)套的材料許用值，這種情況會降低保護(hù)套的壽命，降低材料的利用率。極間填充快采用螺釘與芯軸連接，雖然可以有效防止磁瓦與芯軸的相對轉(zhuǎn)動，但是在芯軸與填充塊加工時需要設(shè)置鉆孔與攻絲的工序，比較耗費時力。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題而提供一種表貼式永磁轉(zhuǎn)子的極間填充塊布置結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案有：一種表貼式永磁轉(zhuǎn)子的極間填充塊布置結(jié)構(gòu)，包括芯軸、磁瓦和保護(hù)套，若干塊磁瓦均布于芯軸的外圓周壁上，且相鄰的兩磁瓦之間形成有隔磁間隙，保護(hù)套套設(shè)于芯軸上，且保護(hù)套與磁瓦之間過盈配合，還包括極間填充塊，所述芯軸的軸向方向上設(shè)有限位凹槽，該限位凹槽置于隔磁間隙內(nèi)，極間填充塊置于隔磁間隙內(nèi)，且極間填充塊的底端插接于限位凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述芯軸的圓周壁上設(shè)有安裝槽，磁瓦和極間填充塊安裝于安裝槽內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述限位凹槽的深度為2～4mm。

本發(fā)明具有如下有益效果：

1)不再需要對芯軸進(jìn)行精確的鉆孔和攻絲，只需在表面銑出凹槽；

2)有效降低護(hù)套上的應(yīng)力集中，延長保護(hù)套的使用壽命。

附圖說明：

圖1為本發(fā)明的剖視圖結(jié)構(gòu)圖。

圖2為本發(fā)明主視圖。

具體實施方式：

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明公開一種表貼式永磁轉(zhuǎn)子的極間填充塊布置結(jié)構(gòu)，包括芯軸1、磁瓦2、保護(hù)套3和極間填充塊5，若干塊磁瓦2均布于芯軸1的外圓周壁上，且相鄰的兩磁瓦2之間形成有隔磁間隙，保護(hù)套3套設(shè)于芯軸1上，且保護(hù)套3與磁瓦2之間過盈配合。

在芯軸1的圓周壁上設(shè)有安裝槽11，磁瓦2和極間填充塊5安裝于安裝槽11內(nèi)。芯軸1上的安裝槽11在磁瓦2的同時，又能起到對磁瓦2軸向限位的作用，位于磁瓦2兩端部的芯軸可以做粗(圖1中A部分)，可以保證整個芯軸1的剛度。

在芯軸1的軸向方向上且位于安裝槽11內(nèi)設(shè)有限位凹槽10，限位凹槽10置于隔磁間隙內(nèi)，限位凹槽10的深度為2～4mm。極間填充塊5置于隔磁間隙內(nèi)，且極間填充塊5的底端插接于限位凹槽10內(nèi)。

通過在芯軸1上加工限位凹槽10，將極間填充塊5放置在限位凹槽10內(nèi)，極間填充塊5可以有效的防止磁瓦2與芯軸1的相對轉(zhuǎn)動。極間填充塊5由于沒有螺釘?shù)募s束，所以極間填充塊5在徑向上是具備同磁瓦2相似的位移能力，在轉(zhuǎn)子高速運轉(zhuǎn)起來時，由于離心力的影響，極間填充塊5和磁瓦2將同時向外偏移。在這種情況下，由于極間填充塊與磁瓦偏移量接近，故可以削弱保護(hù)套3上小極間填充塊與磁瓦分界面附近的應(yīng)力集中現(xiàn)象，使該區(qū)域的應(yīng)力分布更加均勻。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下還可以作出若干改進(jìn)，這些改進(jìn)也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。