[發(fā)明專利]顯示裝置、及陣列基板與IC芯片的綁定方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711030358.9
• 申請(qǐng)日: 2017-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN107819015B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 44300 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 黃威<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入國(guó)

本發(fā)明提供一種顯示裝置，其封裝區(qū)域的導(dǎo)電粒子，用于實(shí)現(xiàn)陣列基板與IC芯片通過導(dǎo)電膠壓接貼合之后，所述陣列基板表面的第一金屬端子與所述IC芯片表面的第二金屬端子之間的電性連接；所述第一金屬端子與所述第二金屬端子之間分布有至少三個(gè)所述導(dǎo)電粒子；其中，所述導(dǎo)電粒子采用準(zhǔn)晶體導(dǎo)電粒子，以減小壓接過程中所述導(dǎo)電粒子在所述導(dǎo)電膠中的流動(dòng)性；本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明所提供的導(dǎo)電粒子，為準(zhǔn)晶體導(dǎo)電粒子，因其外形具備多個(gè)平面，能夠限制導(dǎo)電粒子在樹脂中的流動(dòng)，進(jìn)而避免導(dǎo)電粒子偏移導(dǎo)致導(dǎo)電粒子分布不均，進(jìn)而導(dǎo)致位于同一側(cè)的金屬端子間短路的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及顯示裝置、及陣列基板與IC芯片的綁定方法。

背景技術(shù)

顯示面板在模組制程中，需要對(duì)IC芯片與基板進(jìn)行綁定。目前的綁定方法主要是將各向異性導(dǎo)電膠(ACF)貼在要綁定一端的bump(金屬突起)上，將另一端的bump熱壓接的在ACF上，固化后完成綁定制程。

IC芯片與基板壓接之前，各向異性導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電粒子均勻分布在樹脂中，熱壓的過程中因溫度上升樹脂的流動(dòng)性增大，綁定的壓力使bump接觸處的導(dǎo)電粒子被擠壓至空隙中，使空隙處導(dǎo)電粒子密度高于bump處，造成短路現(xiàn)象。目前的提高導(dǎo)電粒子利用率的方法主要為在各向異性導(dǎo)電膠中添加無機(jī)絕緣粒子，減小導(dǎo)電膠的流動(dòng)性，但這種方法同時(shí)會(huì)降低樹脂和導(dǎo)電粒子的百分含量，可能造成壓接后粘合力減小，壓接兩端剝離的情況。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板在綁定IC芯片的制程中，分布在樹脂設(shè)定位置的導(dǎo)電粒子，受樹脂流動(dòng)性影響導(dǎo)致位置偏移，進(jìn)而造成bump間短路的現(xiàn)象，進(jìn)而影響顯示面板的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種顯示裝置，在顯示裝置的封裝區(qū)域設(shè)置準(zhǔn)晶體導(dǎo)電粒子，能夠減小導(dǎo)電粒子在樹脂中的流動(dòng)性，以解決現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板在綁定IC芯片的制程中，分布在樹脂設(shè)定位置的導(dǎo)電粒子，受樹脂流動(dòng)性影響導(dǎo)致位置偏移，進(jìn)而造成bump間短路的現(xiàn)象，進(jìn)而影響顯示面板的品質(zhì)的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

陣列基板，所述陣列基板表面設(shè)置有綁定區(qū)域，所述綁定區(qū)域內(nèi)間隔設(shè)置有至少三個(gè)第一金屬端子；

各向異性導(dǎo)電膜，所述各向異性導(dǎo)電膜設(shè)置在所述綁定區(qū)域表面，所述各向異性導(dǎo)電膜包括樹脂層；

導(dǎo)電粒子，所述導(dǎo)電粒子分布于所述樹脂層內(nèi)，所述導(dǎo)電粒子對(duì)應(yīng)分布于所述第一金屬端子上方，所述導(dǎo)電粒子為準(zhǔn)晶體導(dǎo)電粒子；

IC芯片，所述IC芯片的一側(cè)設(shè)置有至少三個(gè)與所述第一金屬端子相對(duì)應(yīng)的第二金屬端子，所述IC芯片與所述綁定區(qū)域?qū)ξ唬宜龅诙饘俣俗优c所述第一金屬端子一一對(duì)位，所述IC芯片與所述陣列基板綁定。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述IC芯片通過熱壓工藝與所述陣列基板的綁定區(qū)域結(jié)合，以使所述各向異性導(dǎo)電膜受熱流化，并使得所述第一金屬端子與所述第二金屬端子進(jìn)一步接觸，從而使得所述第一金屬端子與所述第二金屬端子通過所述準(zhǔn)晶體導(dǎo)電粒子導(dǎo)通來與所述陣列基板進(jìn)行綁定。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述導(dǎo)電粒子用于在實(shí)現(xiàn)陣列基板與IC芯片通過導(dǎo)電膠壓接貼合之后，使得所述陣列基板表面的第一金屬端子與所述IC芯片表面的第二金屬端子之間的電性連接；

所述第一金屬端子與所述第二金屬端子之間分布有至少三個(gè)所述導(dǎo)電粒子；

所述導(dǎo)電粒子用于減小壓接過程中所述導(dǎo)電粒子在所述導(dǎo)電膠中的流動(dòng)性。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述導(dǎo)電粒子形狀為正五角十二面體，所述導(dǎo)電粒子的每一平面的水平斜面傾角θ＝120°。

依據(jù)本發(fā)明的上述目的，提供一種陣列基板與IC芯片的綁定方法，所述方法包括：