[發明專利]一種高度密封的中空結構熔斷器的制造方法及熔斷器

有效

• 申請號: 201711030300.4
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107887232B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 翟玉玲;李俊;汪立無;劉志峰;李向明
• 申請（專利權）人: AEM科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: H01H69/02
• 分類號: H01H69/02;H01H85/175
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛;林傳貴

1.一種高度密封的中空結構熔斷器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

制作蓋板：取兩塊絕緣板，分別在兩塊所述絕緣板的一側形成端電極，制成包括上蓋板及下蓋板的蓋板；

貼膜：在所述上蓋板的遠離所述端電極的一側和/或所述下蓋板的遠離所述端電極的一側整片貼合純膠膜；

開凹槽：在所述上蓋板的遠離所述端電極的一側及所述下蓋板的遠離所述端電極的一側通過機械的方式形成凹槽；

裝熔體：將熔體置于所述純膠膜上，所述熔體的一部分置于所述凹槽上；

貼合上、下蓋板：將所述上蓋板的遠離所述端電極的一側與所述下蓋板的遠離所述端電極的一側通過所述純膠膜預貼合；多個所述上蓋板的所述凹槽與對應位置的所述下蓋板的所述凹槽合圍形成多個空腔，所述熔體的一部分置于在所述空腔中；

壓固上、下蓋板：將所述上蓋板及所述下蓋板高溫壓合，制成預成品；

切割：在所述端電極的位置切割所述預成品并切斷所述熔體形成所述高度密封的中空結構熔斷器的寬度方向的側壁，在所述側壁上通過活化設置側面端電極，所述側面端電極將所述上蓋板的所述端電極、所述熔體及所述下蓋板的所述端電極電連接；

分粒：根據所述高度密封的中空結構熔斷器的寬度方向的側壁的位置切割所述預成品形成所述高度密封的中空結構熔斷器的長度方向的側壁，制成單個高度密封的中空結構熔斷器；

在所述切割步驟之前還包括打孔步驟，所述打孔步驟為：在所述上蓋板的所述端電極處及所述下蓋板的所述端電極處通過機械的方式形成貫穿所述上蓋板及所述下蓋板的孔；在所述切割步驟中，切割的位置位于所述孔的位置。

2.根據權利要求1所述的高度密封的中空結構熔斷器的制造方法，其特征在于：在所述開凹槽步驟后，進行所述打孔步驟，再進行所述裝熔體的步驟；在所述貼合上、下蓋板的步驟中，多個所述上蓋板的所述孔與對應位置的所述下蓋板的所述孔合并形成多個通孔。

3.根據權利要求1所述的高度密封的中空結構熔斷器的制造方法，其特征在于：在所述壓固上、下蓋板步驟之后，進行所述打孔步驟，再進行所述切割步驟；在所述貼合上、下蓋板的步驟中，多個所述上蓋板的所述孔與對應位置的所述下蓋板的所述孔合圍形成多個通孔。

4.根據權利要求1所述的高度密封的中空結構熔斷器的制造方法，其特征在于：所述熔體為熔絲。

5.根據權利要求1所述的高度密封的中空結構熔斷器的制造方法，其特征在于：所述熔體設置在熔體板上，在所述裝熔體的步驟中，將所述熔體板貼合在所述純膠膜上；在所述貼合上、下蓋板的步驟中，將所述上蓋板的遠離所述端電極的一側與所述下蓋板的遠離所述端電極的一側通過所述純膠膜分別與所述熔體板的上、下表面預貼合。

6.根據權利要求5所述的高度密封的中空結構熔斷器的制造方法，其特征在于：所述熔體板朝向所述上蓋板的一側和/或朝向所述下蓋板的一側設有所述熔體。

7.根據權利要求1所述的高度密封的中空結構熔斷器的制造方法，其特征在于：所述熔體為表層鍍有防氧化金屬層的導電金屬制成。

8.一種熔斷器，其特征在于：由權利要求1-7任一所述的高度密封的中空結構熔斷器的制造方法制得。