[發明專利]一種基于CMOS工藝的單端轉差分跨阻放大器在審
| 申請號： | 201711029804.4 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN107749744A | 公開（公告）日： | 2018-03-02 |
| 發明（設計）人： | 毛陸虹;周高磊;謝生 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H03F1/32 | 分類號： | H03F1/32;H03F3/08;H03F3/45 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300192*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 cmos 工藝 單端轉差分跨阻 放大器 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于CMOS工藝的單端轉差分跨阻放大器，包括第二MOS管(M2)和第四MOS管(M4)，其特征在于，還設置有第一MOS管(M1)和第三MOS管(M3)，所述第一MOS管(M1)的柵極和第三MOS管(M3)的漏極通過第一電阻(R1)連接電源(VDD)，所述第二MOS管(M2)的柵極和第四MOS管(M4)的漏極通過第四電阻(R4)連接電源(VDD)，所述第一MOS管(M1)的漏極通過第二電阻(R2)連接電源(VDD)，所述第二MOS管(M2)的漏極通過第三電阻(R3)連接電源(VDD)，所述第一MOS管(M1)的源極分別連接第二電容(C2)的一端、第五電阻(R5)的一端以及單端電流信號輸入端(Iin)，所述第二MOS管(M2)的源極分別連接第一電容(C1)的一端和第六電阻(R6)的一端，所述第二電容(C2)的另一端連接第四MOS管(M4)的柵極，第五電阻(R5)的另一端接地，第一電容(C1)另一端連接第三MOS管(M3)的柵極，第六電阻(R6)的另一端接地，所述第三MOS管(M3)的源極和第四MOS管(M4)的源極均接地，所述第一MOS管(M1)的漏極構成第一輸出端(VO1)，所述第二MOS管(M2)的漏極構成第二輸出端(VO2)。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津大學，未經天津大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711029804.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
