[發明專利]一種半導體器件的制造方法及半導體器件

有效

• 申請號: 201711029289.X
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN109712890B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底中形成有第一導電類型的第一阱區，在所述半導體襯底中形成用于形成隔離結構的凹槽，所述凹槽與所述第一阱區彼此隔離；

執行第一離子注入工藝以在所述半導體襯底中形成第一離子注入區，所述第一離子注入工藝的注入離子包括氟或氮；

在所述凹槽內填充隔離材料以形成隔離結構，所述第一離子注入區與所述隔離結構接觸，且至少有部分位于所述隔離結構鄰近所述第一阱區的一側，所述第一離子注入區用于增強所述隔離結構邊緣的雜質擴散，從而改善雜質分布，并修復界面電荷；

對所述半導體襯底執行第三離子注入工藝，以形成與所述第一阱區相鄰設置的第二導電類型的第二阱區，所述隔離結構位于所述第二阱區中。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入區為條狀。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝包括向所述第一阱區一側傾斜的離子注入工藝。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，整個所述第一離子注入區位于所述隔離結構鄰近所述第一阱區的一側。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成隔離結構的步驟之后，所述方法還包括執行第二離子注入工藝以在所述半導體襯底中形成第二離子注入區的步驟，其中所述第二離子注入區與所述第一離子注入區接觸，且至少有部分位于所述隔離結構鄰近所述第一阱區的一側，所述第二離子注入區用于進一步增強所述隔離結構邊緣的雜質擴散，從而改善雜質分布，并修復界面電荷。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝的注入離子包括氟，所述第二離子注入工藝的注入離子包括氮。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二離子注入工藝包括向所述第一阱區一側傾斜的離子注入工藝。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二離子注入工藝的注入能量小于所述第一離子注入工藝的注入能量。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二離子注入區為梯形。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體器件為LDMOS。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述半導體襯底表面形成柵極結構的步驟，其中所述柵極結構橫跨所述第一阱區與所述第二阱區的邊界。

12.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體器件包括在所述半導體襯底中形成的第一導電類型的第一阱區、與所述第一阱區相鄰設置的第二導電類型的第二阱區；

位于所述半導體襯底內的隔離結構和第一離子注入區，所述隔離結構與所述第一阱區彼此隔離，且所述隔離結構位于所述第二阱區中，所述第一離子注入區的注入離子包括氟或氮；

所述第一離子注入區與所述隔離結構接觸，且至少有部分位于所述隔離結構鄰近所述第一阱區的一側，所述第一離子注入區用于增強所述隔離結構邊緣的雜質擴散，從而改善雜質分布，并修復界面電荷。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述第一離子注入區為條狀。

14.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括位于所述半導體襯底內的第二離子注入區，所述第二離子注入區與所述第一離子注入區接觸，且至少有部分位于所述隔離結構鄰近所述第一阱區的一側，所述第二離子注入區用于進一步增強所述隔離結構邊緣的雜質擴散，從而改善雜質分布，并修復界面電荷。