[發明專利]用于GaN功率器件的雙頻寬帶功率放大器級間匹配電路

在審

• 申請號: 201711029281.3
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107911088A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 毛陸虹;蔡昊成;謝生;叢佳
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F3/21
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所12201
• 代理人: 杜文茹

1.一種用于GaN功率器件的雙頻寬帶功率放大器級間匹配電路，其特征在于，包括依次相連的用于在兩個頻率下對二次諧波阻抗為純電抗條件進行匹配的二次諧波阻抗匹配模塊(2)和在兩個頻率下完成驅動級輸出基波阻抗及功率級輸入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模塊(3)，所述二次諧波阻抗匹配模塊(2)的輸入端連接驅動級GaN晶體管(1)的輸出端，所述基波阻抗匹配模塊(3)的輸出端連接功率級GaN晶體管(4)的輸入端。

2.根據權利要求1所述的用于GaN功率器件的雙頻寬帶功率放大器級間匹配電路，其特征在于，所述的二次諧波阻抗匹配模塊(2)包括有相串聯連接的第一微帶線(TL1)和第二微帶線(TL2)，用于在兩個頻率下將第二微帶線(TL2)的輸出端(A)的短路轉換為純電抗，所述第二微帶線(TL2)的輸出端(A)分別連接第六微帶線(TL6)和第七微帶線(TL7)，用于在兩個頻率下使第二微帶線(TL2)的輸出端(A)短路，所述第二微帶線(TL2)的輸出端(A)還構成二次諧波阻抗匹配模塊(2)的輸出端連接所述基波阻抗匹配模塊(3)的輸入端。

3.根據權利要求2所述的用于GaN功率器件的雙頻寬帶功率放大器級間匹配電路，其特征在于，所述第六微帶線(TL6)在兩個頻率中的一個頻率下的電長度為40～50°，所述第七微帶線(TL7)在兩個頻率中的另一個頻率下的電長度為40～50°。

4.根據權利要求1所述的用于GaN功率器件的雙頻寬帶功率放大器級間匹配電路，其特征在于，所述的基波阻抗匹配模塊(3)包括有用于在兩個頻率下將兩個復數阻抗進行匹配的依次串聯的第三微帶線(TL3)和第四微帶線(TL4)，所述第三微帶線(TL3)的輸入端連接所述二次諧波阻抗匹配模塊(2)的輸出端(A)，所述第四微帶線(TL4)的輸出端分別連接用于提供在兩個頻率下阻抗虛部變換所需的自由度的第五微帶線(TL5)、第八微帶線(TL8)和第九微帶線(TL9)，所述第九微帶線(TL9)的輸出端連接所述功率級GaN晶體管(4)的輸入端。