[發(fā)明專利]隧道場效應晶體管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711026937.6
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN109728080B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 林俊豪;唐俊榮;陳信宇;謝守偉
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/331
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種隧道場效應晶體管，包含：

鰭狀結(jié)構(gòu)，設于基底上；

第一柵極結(jié)構(gòu)，設于該鰭狀結(jié)構(gòu)上；

第一源極區(qū)域，具有第一導電型式設于該第一柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)；

第一漏極區(qū)域，具有第二導電型式設于該第一柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)；

第四柵極結(jié)構(gòu)，設于該鰭狀結(jié)構(gòu)上；

第二源極區(qū)域，具有該第一導電型式設于該第四柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)；

第二漏極區(qū)域，具有該第二導電型式設于該第四柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)；

第一隔離結(jié)構(gòu)，將該鰭狀結(jié)構(gòu)分隔為第一部分及第二部分，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)設于該第一部分上，該第四柵極結(jié)構(gòu)設于該第二部分上，且該第一源極區(qū)域及該第二源極區(qū)域?qū)ΨQ設于該第一隔離結(jié)構(gòu)的二側(cè)；以及

第二隔離結(jié)構(gòu)，設于該漏極區(qū)域旁，其中該第一隔離結(jié)構(gòu)以及該第二隔離結(jié)構(gòu)包含不同材料以及不同深度，該第一隔離結(jié)構(gòu)的底部低于該第二隔離結(jié)構(gòu)的底部；

該第一隔離結(jié)構(gòu)的上表面為中心區(qū)高于周邊區(qū)的凸表面。

2.如權(quán)利要求1所述的隧道場效應晶體管，還包含通道區(qū)域，設于該第一柵極結(jié)構(gòu)正下方。

3.如權(quán)利要求2所述的隧道場效應晶體管，其中該通道區(qū)域包含該第二導電型式。

4.如權(quán)利要求1所述的隧道場效應晶體管，還包含第二柵極結(jié)構(gòu)，設于該第一隔離結(jié)構(gòu)上方。

5.如權(quán)利要求1所述的隧道場效應晶體管，還包含第三柵極結(jié)構(gòu)，設于該第二隔離結(jié)構(gòu)上方。

6.如權(quán)利要求1所述的隧道場效應晶體管，其中該第一隔離結(jié)構(gòu)包含一拉伸應力材料。

7.如權(quán)利要求6所述的隧道場效應晶體管，其中該第一隔離結(jié)構(gòu)包含氮化硅。

8.如權(quán)利要求7所述的隧道場效應晶體管，其中該第一隔離結(jié)構(gòu)包含：

下半部，設于該基底內(nèi)；以及

上半部，設于該下半部上方，其中該上半部寬度小于該下半部寬度。

9.如權(quán)利要求1所述的隧道場效應晶體管，其中該第二隔離結(jié)構(gòu)包含氧化硅。

10.如權(quán)利要求9所述的隧道場效應晶體管，其中該第二隔離結(jié)構(gòu)上表面為一平坦面。

11.一種隧道場效應晶體管，包含：

鰭狀結(jié)構(gòu)，設于基底上；

第一柵極結(jié)構(gòu)，設于該鰭狀結(jié)構(gòu)上；

第一源極區(qū)域，具有第一導電型式設于該第一柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)；

第一漏極區(qū)域，具有第二導電型式設于該第一柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)；

第四柵極結(jié)構(gòu)，設于該鰭狀結(jié)構(gòu)上；

第二源極區(qū)域，具有該第一導電型式設于該第四柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)；

第二漏極區(qū)域，具有該第二導電型式設于該第四柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)；

第一隔離結(jié)構(gòu)，將該鰭狀結(jié)構(gòu)分隔為第一部分及第二部分，其中該第一柵極結(jié)構(gòu)設于該第一部分上，該第四柵極結(jié)構(gòu)設于該第二部分上，且該第一源極區(qū)域及該第二源極區(qū)域?qū)ΨQ設于該第一隔離結(jié)構(gòu)的二側(cè)；以及

第二隔離結(jié)構(gòu)，設于該漏極區(qū)域旁，其中該第一隔離結(jié)構(gòu)以及該第二隔離結(jié)構(gòu)包含相同材料以及不同深度，該第一隔離結(jié)構(gòu)的底部低于該第二隔離結(jié)構(gòu)的底部；

該第一隔離結(jié)構(gòu)的上表面為中心區(qū)高于周邊區(qū)的凸表面。

12.如權(quán)利要求11所述的隧道場效應晶體管，還包含通道區(qū)域，設于該第一柵極結(jié)構(gòu)正下方。

13.如權(quán)利要求12所述的隧道場效應晶體管，其中該通道區(qū)域包含該第二導電型式。

14.如權(quán)利要求11所述的隧道場效應晶體管，還包含第二柵極結(jié)構(gòu)，設于該第一隔離結(jié)構(gòu)上方。

15.如權(quán)利要求11所述的隧道場效應晶體管，還包含第三柵極結(jié)構(gòu)，設于該第二隔離結(jié)構(gòu)上方。