[發明專利]晶圓的清洗方法在審
| 申請號： | 201711026883.3 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN109727841A | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 黃海冰 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/08;B08B3/04;B08B3/02 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 氨水 噴嘴 旋轉臺 清洗 一側邊緣 比例配制 晶圓清洗 快速去除 去離子水 人力成本 時間成本 噴嘴噴 清洗機 膠片 對準 殘留 移動 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓的清洗方法，包括：
提供包含旋轉臺和噴嘴的清洗機；
將晶圓固定在所述旋轉臺上，所述噴嘴置于所述晶圓的上方并對準所述晶圓的中心；
控制所述旋轉臺旋轉，并控制所述噴嘴噴出氨水以清洗所述晶圓的中心；
控制所述噴嘴自所述晶圓的中心沿直徑方向在所述晶圓的一側邊緣和所述晶圓的另一側邊緣來回移動，以清洗所述晶圓；其特征在于：
所述氨水按照1L去離子水配400-500mL氨的比例配制，所述氨水的溫度為150-190℃，所述旋轉臺的轉速為700-800rmp。
2.如權利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述噴嘴在所述晶圓的中心停留且噴出氨水的總時間為13-18s。
3.如權利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述噴嘴自所述晶圓的中心沿直徑方向在所述晶圓的一側邊緣和所述晶圓的另一側邊緣來回移動且噴出氨水的總時間為40-50s。
4.如權利要求1所述的晶圓的清洗方法，其特征在于：所述噴嘴自所述晶圓的中心沿直徑方向在所述晶圓的一側邊緣和所述晶圓的另一側邊緣來回移動的速度為50-60毫米/秒。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞新科技術研究開發有限公司，未經東莞新科技術研究開發有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711026883.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
