[發(fā)明專利]控制包括半導體光放大器的半導體光學裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711026862.1 | 申請日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN108011671B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 木原利彰;市田小百合 | 申請(專利權)人: | 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會社 |
| 主分類號: | H04B10/564 | 分類號: | H04B10/564;H04B10/572;H04B10/58 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 李銘;崔利梅 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制 包括 半導體 放大器 光學 裝置 方法 | ||
1.一種控制發(fā)射器光學子組件的方法,所述發(fā)射器光學子組件輸出光信號并且包括半導體激光二極管、半導體調(diào)制器、半導體光放大器和溫度控制器,所述半導體激光二極管響應于第一偏置電流產(chǎn)生連續(xù)波光,所述半導體調(diào)制器響應于驅動信號通過調(diào)制所述連續(xù)波光產(chǎn)生調(diào)制光,所述半導體光放大器根據(jù)第二偏置電流通過放大所述調(diào)制光產(chǎn)生光信號,在熱電冷卻器上安裝所述半導體激光二極管、所述半導體調(diào)制器和所述半導體光放大器,并且所述熱電冷卻器被提供有驅動電流以控制所述半導體激光二極管、所述半導體調(diào)制器和所述半導體光放大器的溫度,所述方法包括以下步驟:
將初始條件分別提供至所述半導體激光二極管、所述半導體調(diào)制器、所述半導體光放大器和所述熱電冷卻器;
根據(jù)傳輸預定距離后的光信號的波形來調(diào)節(jié)供應至所述半導體光放大器的第二偏置電流;
在調(diào)節(jié)所述第二偏置電流之后,調(diào)節(jié)所述熱電冷卻器的驅動電流以使得所述光信號具有目標波長,調(diào)節(jié)所述第一偏置電流以使得所述光信號呈現(xiàn)目標功率,并且調(diào)節(jié)所述驅動信號以使得所述光信號呈現(xiàn)目標消光比、目標交點和目標脈沖遮幅輸出,
評估剛從所述半導體光放大器輸出時的誤碼率以及傳輸所述預定距離后的誤碼率;以及
在傳輸所述預定距離之后的誤碼率呈現(xiàn)與剛從半導體光放大器輸出時的誤碼率之差大于預設范圍時,調(diào)節(jié)所述第二偏置電流、所述驅動電流、所述第一偏置電流和所述驅動信號,
其中,所述第二偏置電流被設置在所述光信號相對于所述第二偏置電流呈負相關的區(qū)域中。
2.如權利要求1所述的方法,
其中,同時執(zhí)行調(diào)節(jié)所述驅動電流的步驟、調(diào)節(jié)所述第一偏置電流的步驟和調(diào)節(jié)所述驅動信號的步驟。
3.如權利要求1所述的方法,
其中,順序執(zhí)行調(diào)節(jié)所述驅動電流的步驟、調(diào)節(jié)所述第一偏置電流的步驟和調(diào)節(jié)所述驅動信號的步驟。
4.如權利要求2所述的方法,
還包括在調(diào)節(jié)所述驅動電流的步驟、調(diào)節(jié)所述第一偏置電流的步驟和調(diào)節(jié)所述驅動信號的步驟中的至少一個步驟之后再次調(diào)節(jié)所述第二偏置電流的步驟。
5.如權利要求2所述的方法,
其中,所述半導體激光二極管、所述半導體調(diào)制器和所述半導體光放大器單片地集成在半導體襯底上。
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