[發明專利]陣列基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201711026720.5 | 申請日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN107910333A | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 謝炎;林建宏 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
一基底;
設置在所述基底上的第一柵極絕緣層;
設置在所述第一柵極絕緣層上的第一柵極金屬層,所述第一柵極金屬層包括掃描線;
設置在所述第一柵極金屬層上的第二柵極絕緣層,所述第二柵極絕緣層覆蓋所述第一柵極絕緣層,所述第二柵極絕緣層具有第一通孔;
設置在所述第二柵極絕緣層上的第二柵極金屬層;
設置在所述第二柵極金屬層上的層間介質層,所述層間介質層覆蓋所述第二柵極絕緣層,所述層間介質層具有第二通孔;
設置在所述層間介質層上的源漏走線層,所述源漏走線層包括源漏走線,所述源漏走線通過所述第一通孔、所述第二通孔與所述掃描線連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述源漏走線層具有通孔,所述陣列基板還包括有機平坦層和陽極走線層,所述有機平坦層具有第三通孔,所述陽極走線層包括陽極走線;
所述有機平坦層設置在所述源漏走線層上;
所述陽極走線層設置在所述有機平坦層上,所述陽極走線層的所述陽極走線通過所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔和所述通孔與所述掃描線連接。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述層間介質層包括無機絕緣子層和有機填充子層;
所述無機絕緣子層設置在所述第二柵極金屬層上,所述無機絕緣子層覆蓋所述第二柵極絕緣層;
所述有機填充子層設置在所述無機絕緣子層上。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板上設有凹槽;
所述凹槽從所述無機絕緣子層延伸至所述基底,所述凹槽內填充有機物,形成所述有機填充子層。
5.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述無機絕緣子層和所述有機絕緣子層采用同一道光罩制成或分別采用一道光罩制成。
6.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括陣列基板;
所述陣列基板包括一基底;
設置在所述基底上的第一柵極絕緣層;
設置在所述第一柵極絕緣層上的第一柵極金屬層,所述第一柵極金屬層包括掃描線;
設置在所述第一柵極金屬層上的第二柵極絕緣層,所述第二柵極絕緣層覆蓋所述第一柵極絕緣層,所述第二柵極絕緣層具有第一通孔;
設置在所述第二柵極絕緣層上的第二柵極金屬層;
設置在所述第二柵極金屬層上的層間介質層,所述層間介質層覆蓋所述第二柵極絕緣層,所述層間介質層具有第二通孔;
設置在所述層間介質層上的源漏走線層,所述源漏走線層包括源漏走線,所述源漏走線通過所述第一通孔、所述第二通孔與所述掃描線連接。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述源漏走線層具有通孔,所述陣列基板還包括有機平坦層和陽極走線層,所述有機平坦層具有第三通孔,所述陽極走線層包括陽極走線;
所述有機平坦層設置在所述源漏走線層上;
所述陽極走線層設置在所述有機平坦層上,所述陽極走線層的所述陽極走線通過所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔和所述通孔與所述掃描線連接。
8.根據權利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述層間介質層包括無機絕緣子層和有機填充子層;
所述無機絕緣子層設置在所述第二柵極金屬層上,所述無機絕緣子層覆蓋所述第二柵極絕緣層;
所述有機填充子層設置在所述無機絕緣子層上。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,所述陣列基板上設有凹槽;
所述凹槽從所述無機絕緣子層延伸至所述基底,所述凹槽內填充有機物,形成所述有機填充子層。
10.根據權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,所述無機絕緣子層和所述有機絕緣子層采用同一道光罩制成或分別采用一道光罩制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





