[發明專利]一種硅片檢測方法和硅片檢測裝置

有效

• 申請號: 201711025953.3
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107845090B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 陳全勝;劉堯平;陳偉;吳俊桃;趙燕;王燕;杜小龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T5/00
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;李科

1.一種硅片檢測方法，包括如下步驟：

步驟一：基于硅片的灰度圖像中各個像素點的灰度值確定硅片的具體位置，從而得到精準的待分析硅片圖像；

步驟二：對所述精準的待分析硅片圖像進行灰度值分布統計，和/或計算所述精準的待分析硅片圖像中所有像素點的灰度平均值；以及

步驟三：基于所述灰度平均值計算硅片的反射率，和/或基于所述灰度值分布統計判定硅片的晶花情況，

其中，在步驟一中，所述灰度圖像由相機直接采集獲得，或者將相機采集的彩色圖像進行灰度化處理后獲得，采用背光源從硅片上方輻照所述硅片，并且所述背光源、所述硅片和所述相機設置在外殼內；

其中，在所述步驟三中，計算硅片反射率包括如下子步驟：

子步驟A：對n張反射率分別為R₁-R_n的已知硅片進行步驟一和步驟二的操作，分別得出n張已知硅片的精準硅片圖像中所有像素點的灰度平均值基于n張反射率分別為R₁-R_n的已知硅片擬合反射率與灰度平均值的函數關系式其中，n為大于等于2的整數，R表示硅片的反射率，表示灰度平均值；

子步驟B：根據所述函數關系式計算硅片的反射率；以及

在所述步驟三中，判定硅片的晶花情況包括如下子步驟：

子步驟a：將步驟二所計算的每個灰度值對應的像素點數目占總像素點數目的比值與比值閾值進行比較，低于所述比值閾值的比值對應的灰度值為異常灰度值，高于所述比值閾值的比值所對應的灰度值為正常灰度值；所述比值閾值為0.001；

子步驟b：計算正常灰度值的寬度；以及

子步驟c：將所述寬度與預設標準進行比較，判斷硅片的晶花情況；當所述寬度在61-255時，判定硅片晶花情況為不合格。

2.根據權利要求1所述的硅片檢測方法，在步驟一中，基于所述灰度圖像中各個像素點的灰度值與灰度閾值的比較獲取精準的待分析硅片圖像。

3.根據權利要求2所述的硅片檢測方法，其中，獲取精準的待分析硅片圖像包括如下子步驟：

1-1：對所述灰度圖像的每一行的像素點進行掃描，記錄每一行中灰度值低于灰度閾值的像素點的數目，選取其中的最大數目作為行參考數目，將灰度值低于灰度閾值的像素點的數目大于所述行參考數目的某一比例的行作為硅片行；

1-2：對所述灰度圖像的每一列的像素點進行掃描，記錄每一列中灰度值低于灰度閾值的像素點的數目，選取其中的最大數目作為列參考數目，將灰度值低于灰度閾值的像素點的數目大于所述列參考數目的某一比例的列作為硅片列；

1-3：選取所述硅片行和所述硅片列的共同區域，從而得到所述精準的待分析硅片圖像。