[發(fā)明專利]一種顯示面板及其顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711025646.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107871775B | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周志偉;李春陽(yáng);徐藝琳;韓立靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,包括陣列基板與封裝基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上并且陣列排布的多個(gè)像素,所述多個(gè)像素包括多個(gè)第一顏色的第一像素、第二顏色的第二像素、第三顏色的第三像素,其中,所述第三像素包括至少兩個(gè)第三子像素,所述第三像素的邊緣在兩個(gè)所述第三子像素的所有鄰接邊處都具有朝向像素內(nèi)部的凹陷;
間隔柱,所述間隔柱至少部分位于所述凹陷中。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述間隔柱與所述第三像素的距離小于所述間隔柱與所述第一像素的距離,且所述間隔柱與所述第三像素的距離小于所述間隔柱與所述第二像素的距離。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述襯底基板像素定義層,所述像素定義層具有多個(gè)開口,每個(gè)所述像素位于一個(gè)所述開口中,所述第三像素所包括至少兩個(gè)第三子像素位于同一所述開口中。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,每個(gè)所述像素包括像素電極以及位于所述像素電極背離所述襯底基板一側(cè)的發(fā)光層,所述第三像素所包括至少兩個(gè)第三子像素的所述像素電極相互隔開,所述第三像素所包括至少兩個(gè)第三子像素的所述發(fā)光層連在一起。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述間隔柱位于所述像素定義層背離所述襯底基板的一側(cè)表面。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述間隔柱的底部在所述襯底基板的正投影覆蓋其頂部在所述襯底基板的正投影。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第三像素包括兩個(gè)第三子像素與兩個(gè)所述間隔柱,所述兩個(gè)第三子像素形狀均為梯形,且所述兩個(gè)第三子像素的上底邊相鄰近。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第三像素包括三個(gè)第三子像素與三個(gè)所述間隔柱,所述三個(gè)第三子像素與所述間隔柱所組成圖形的外輪廓為圓形或六邊形。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第三像素包括四個(gè)第三子像素與四個(gè)所述間隔柱,所述四個(gè)第三子像素與所述間隔柱所組成圖形的外輪廓為四邊形。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第三像素包括六個(gè)第三子像素與六個(gè)所述間隔柱,所述六個(gè)第三子像素與所述間隔柱所組成圖形的外輪廓為圓形或六邊形。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹陷形狀為直角三角形或鈍角三角形。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹陷形狀為扇形且其圓心角朝向所述第三像素。
13.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹陷形狀為扇形且其弧形邊朝向所述第三像素。
14.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





