[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201711025628.7 | 申請日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN107871774B | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 周志偉;李春陽;徐藝琳;韓立靜 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請公開一種顯示面板及顯示裝置,顯示面板包括:陣列基板與封裝基板,其中陣列基板包括:襯底基板;位于襯底基板上并且陣列排布的多個子像素,多個子像素包括沿行方向排列的多個子像素列,每個子像素列包括沿列方向重復排布的多個像素單元,每個像素單元由第一顏色的第一子像素、第二顏色的第二子像素、第三顏色的第三子像素依次排布組成,每一個子像素列與其相鄰的子像素列在列方向上錯位;位于襯底基板與封裝基板之間的多個間隔柱,間隔柱位于相鄰子像素列中距離最近的兩個第三子像素之間。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體地說,涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
有機發光顯示裝置是包括有機發光二極管(OLED)的自發光顯示裝置,有機發光二極管(OLED)包括空穴注入電極、電子注入電極和在它們之間形成的有機發射層。當因從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電極注入的電子的組合而生成的激子從激發態降至基態時,有機發光顯示裝置發光。
自發射顯示裝置不需要額外的光源。有機發光顯示裝置可被低壓驅動,并且可能是輕型和由薄膜技術形成。此外,有機發光顯示裝置具有高質量特征,諸如視角寬、對比度大和響應速度快,因此被認為是下一代顯示裝置。
一般地,有機發光顯示裝置包括用于發出不同顏色的光以顯示圖像的多個像素。這里,像素指顯示圖像的最小單元。柵線、數據線、功率線諸如驅動功率線、絕緣層諸如用于限定每個像素的面積或形狀的像素限定層等可位于相鄰的像素之間。
在典型的有機發光顯示裝置中,用于形成像素的有機發射層由是使用掩膜諸如精細金屬掩膜(FMM)的沉積工藝形成的。部分像素之間形成有間隔柱,間隔柱一方面作為陣列基板與封裝基板之間的支撐以維持兩基板之間的間隙,保持一定抗沖擊強度;另一方面,在使用精細金屬掩膜蒸鍍有機發光層時,間隔柱還可接觸精細金屬掩膜,作為精細金屬掩膜的支撐。如果像素被形成為其間具有小間隙以確保像素的良好的孔徑比,間隔柱面積減小,精細金屬掩膜的強度降低,沉積的可靠性可能降低。相反,如果像素被形成為具有大間隙以提高沉積的可靠性,間隔柱面積增大,精細金屬掩膜的強度提高,但像素的孔徑比可能減小。
此外,形成間隔柱可能會因為間隔柱與精細金屬掩膜接觸帶來污染、雜質、顆粒等工藝問題,而降低沉積的可靠性,最終影響顯示效果和顯示面板的性能。
發明內容
鑒于以上技術問題,本申請提供如下技術方案。
第一方面,本申請提供一種顯示面板,包括:陣列基板與封裝基板,其中陣列基板包括:襯底基板;位于襯底基板上并且陣列排布的多個子像素,多個子像素包括沿行方向排列的多個子像素列,每個子像素列包括沿列方向重復排布的多個像素單元,每個像素單元由第一顏色的第一子像素、第二顏色的第二子像素、第三顏色的第三子像素依次排布組成,每一個子像素列與其相鄰的子像素列在列方向上錯位;位于襯底基板與封裝基板之間的多個間隔柱,間隔柱位于相鄰子像素列中距離最近的兩個第三子像素之間。
可選的,間隔柱與第三子像素的距離小于間隔柱與第一子像素的距離,且間隔柱與第三子像素的距離小于間隔柱與第二子像素的距離。
第三子像素與相鄰列的一個第一子像素以及一個第二子像素在列方向上均有交疊。
間隔柱為條狀,第三子像素位于條狀的間隔柱延伸方向的兩側,第一子像素、第二子像素位于間隔柱在第一方向的兩側,第一方向與延伸方向交叉。
間隔柱包括條狀的中間部分與靠近第三子像素的末端部分,第三子像素位于間隔柱延伸方向的兩側,第一子像素、第二子像素位于間隔柱在第二方向的兩側,第二方向與延伸方向交叉。
末端部分的邊緣的至少一部分跟與其相鄰的一個第三子像素的邊緣的一部分相互平行。
第三子像素形狀為方形,末端部分的邊緣的至少一部分跟與其相鄰的一個第三子像素的其中一邊相互平行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





