[發明專利]一種基于典型缺陷特征的KDP晶體損傷閾值預測方法

有效

• 申請號: 201711025346.7
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107884423B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 石峰;肖琪;戴一帆;彭小強;胡皓;鐵貴鵬
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科技大學
• 主分類號: G01N21/958
• 分類號: G01N21/958
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 譚武藝

1.一種基于典型缺陷特征的KDP晶體損傷閾值預測方法，其特征在于實施步驟包括：

1）預先分別建立KDP晶體每一種典型表面缺陷的光熱弱吸收水平與損傷閾值的對應關系，所述典型表面缺陷包括劃痕、雜質污染以及裂紋；

2）針對待測KDP晶體的表面缺陷進行特征檢測，確定的表面缺陷的典型缺陷類型；

3）針對待測KDP晶體的典型表面缺陷區域進行光熱弱吸收測量實驗，得到典型表面缺陷的光熱弱吸收值，將典型缺陷類型、典型表面缺陷的光熱弱吸收值代入KDP晶體對應的典型表面缺陷的光熱弱吸收水平與損傷閾值的對應關系，得到典型表面缺陷的損傷閾值。

2.根據權利要求1所述的基于典型缺陷特征的KDP晶體損傷閾值預測方法，其特征在于，步驟1）的詳細步驟包括：

1.1）獲取多塊具有不同表面狀態的KDP晶體樣件，針對各塊KDP晶體樣件，分別選取不同的典型表面缺陷區域作為一類實驗區域，對各類實驗區域，分別進行光熱弱吸收測量并計算光熱弱吸收測量結果的平均值作為該類實驗區域對應的典型表面缺陷的光熱弱吸收水平；

1.2）針對各塊KDP晶體樣件的各類實驗區域，分別在實驗區域上隨機選擇多個測量點，測量各個測量點的損傷閾值并計算平均值作為該類實驗區域對應的典型表面缺陷的損傷閾值；

1.3）針對各類典型表面缺陷，分別將該類典型表面缺陷的光熱弱吸收水平以及損傷閾值進行線性擬合，得到KDP晶體各種典型表面缺陷的光熱弱吸收水平與損傷閾值的對應關系。

3.根據權利要求2所述的基于典型缺陷特征的KDP晶體損傷閾值預測方法，其特征在于，步驟1.1）中獲取多塊具有不同表面狀態的KDP晶體樣件具體是指基于不同的加工方法、不同的表面缺陷類型制備多塊具有不同表面狀態的KDP晶體樣件。

4.根據權利要求3所述的基于典型缺陷特征的KDP晶體損傷閾值預測方法，其特征在于，所述不同的加工方法包括單點金剛石切削、磁流變拋光以及離子束加工。

5.根據權利要求2～4中任意一項所述的基于典型缺陷特征的KDP晶體損傷閾值預測方法，其特征在于，步驟1.3）中進行線性擬合得到的函數表達式如式（1）所示；

y=ax+b （1）

式（1）中，y為某一種典型表面缺陷對應的損傷閾值，x為某一種典型表面缺陷的光熱弱吸收水平，a,b為擬合系數。

6.根據權利要求1所述的基于典型缺陷特征的KDP晶體損傷閾值預測方法，其特征在于，步驟2）中針對待測KDP晶體的表面缺陷進行特征檢測具體是指將待測KDP晶體元件在超景深顯微鏡上進行觀察以確定的表面缺陷的典型缺陷類型。