[發(fā)明專利]一種低溫等離子切開刀手術系統及方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711025056.2
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107736935A
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發(fā)明（設計）人: 嚴航;鄭忠偉
• 申請（專利權）人: 上海諾英醫(yī)療器械有限公司
• 主分類號: A61B18/12
• 分類號: A61B18/12
• 代理公司: 上海音科專利商標代理有限公司31267
• 代理人: 劉香蘭

技術領域

本發(fā)明涉及射頻技術領域，并且更具體地，涉及一種低溫等離子切開刀手術系統及方法。

背景技術

高頻切割電刀是一種取代機械手術刀進行組織切割的電外科器械。高頻切割電刀的工作原理是通過有效電極尖端產生的高頻高壓電流與機體接觸時對組織進行加熱，實現對機體組織的分離和凝固，從而起到切割和止血的目的。高頻切割電刀電凝模式的峰值電壓較電切模式大，高頻電流通過高阻抗的組織時，會在組織中熱量，導致組織氣化或凝固，產生良好的止血效果，但同時也會造成更加明顯的熱損傷。高頻切割電刀瞬間穩(wěn)定可高達150℃以上，能切割組織的高頻切割電刀的加熱效應，并不是由加熱電極或刀頭造成的。它是將高電流密度的高頻電流聚集起來，直接摧毀處于與有效電極尖端相接觸的組織。當與有效電極相接觸或相鄰近的組織或細胞的溫度上升到細胞中的蛋白質變性時，便產生切割及凝固的作用。

普通高頻切割電刀的工作溫度通常是100～150℃，這個工作溫度相對人組織仍屬于高溫，組織細胞受此溫度影響后，由于切割所造成組織蛋白變性。尤其是普通高頻切割電刀持續(xù)工作一定時間后，會對組織造成熱損傷。而組織細胞的變性壞死是一個逐漸發(fā)展的過程，普通高頻切割電刀會出現術區(qū)腫脹、術后疼痛等反應。

在實際環(huán)境中，高頻切割電刀應用在醫(yī)院消化科進行十二指腸病變的乳頭切割手術時，容易產生胰腺炎(死亡率高)的并發(fā)癥，這是因為溫度對組織有損傷。高頻切割電刀有兩個電極，一個電極貼在患者身上，另一個電極放置在切割刀部位，并且在手柄上設置電通路。高頻發(fā)射溫度高達400-500度，這個溫度對周邊良好的組織會誤傷，進而使得出血問題產生的概率高、容易損壞病理組織。在這種情況下，醫(yī)生無法進行病理分析，并且對切片整理有效分析時造成麻煩。

經十二指腸鏡逆行性胰膽管造影術(ERCP)，是將十二指腸鏡插至十二指腸降段，顯露胰管、膽管在腸腔內側壁開口的十二指腸乳頭，經十二指腸鏡治療孔道插入造影導管，經乳頭開口插入胰膽管共同開口或先后分別進入胰管、膽管，注射造影劑，在X線下對胰管、膽管進行檢查的方法。

經十二指腸乳頭括約肌切開術(EST)，是在診斷性ERCP技術的基礎上，進一步發(fā)展起來的在內鏡下利用專用的高頻電切開刀將十二指腸乳頭括約肌及膽總管末端部分切開的一種治療技術。

十二指腸乳頭包括主乳頭及副乳頭，主乳頭通常又稱十二指腸乳頭或瓦特乳頭。它常位于十二指腸降部中段后背內側壁，距胃幽門約10cm處，形態(tài)大多呈乳頭型。所述的乳頭切開術主要都是指主乳頭的切開。在十二指腸鏡頭下，主乳頭的位置通常都在中心近似12點位置處。在十二指腸鏡的引導和前端抬鉗器的調節(jié)下，醫(yī)生操作器械高頻切開刀插入到乳頭內，通高頻電，實現組織的切割和凝固。高頻發(fā)射溫度高達400-500度，這個溫度對十二指腸乳頭周邊良好的組織會誤傷，容易產生胰腺炎(死亡率高)，出血，穿孔等的并發(fā)癥，進而使得出血問題產生的概率高、同時也容易損壞病理組織。在這種情況下，醫(yī)生無法進行病理分析，并且對切片整理有效分析時造成麻煩。

發(fā)明內容

根據本發(fā)明的一個方面，提供一種低溫等離子切開刀手術系統，所述系統包括：

輸入單元，接收用戶輸入的控制指令并將所述控制指令發(fā)送給控制單元；

控制單元，對所述控制指令進行解析并且當所述控制指令指示第一模式時生成第一模式指令，根據當前阻抗和所述控制指令計算用于第一模式下的輸出功率，將第一模式指令以及與所述第一模式下的輸出功率相關聯的第一電壓指示發(fā)送給接口單元；

接口單元，從所述控制單元接收第一模式指令和第一電壓指示，并且將所述第一模式指令和第一電壓指示轉發(fā)給等離子單元，以及從等離子單元接收目標接觸端的當前阻抗并且將所述當前阻抗發(fā)送給所述控制單元；

等離子單元，響應于從所述接口單元接收第一模式指令和第一電壓指示，進入第一模式：通過導電介質在所述等離子單元的目標接觸端處的發(fā)射電極和回路電極之間進行電路激活以形成薄層，為發(fā)射電極和回路電極之間施加第一電壓，使得所述導電介質達到第一溫度并且被轉換為等離子層，從而利用電能激發(fā)導電介質產生等離子體，并且基于等離子體的射頻能量對目標體進行汽化切割；

其中所述發(fā)射電極、等離子層、回路電極以及目標接觸端形成回路。

還包括所述控制單元對所述控制指令進行解析并且當所述控制指令指示第二模式時生成第二模式指令，根據當前阻抗和所述控制指令計算用于第二模式下的輸出功率，將第二模式指令以及與所述第二模式下的輸出功率相關聯的第二電壓指示發(fā)送給接口單元。