[發明專利]一種高彈性模量玻璃陶瓷

在審

• 申請號: 201711022107.6
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107840576A
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 曾加紅
• 申請（專利權）人: 桂林加宏汽車修理有限公司
• 主分類號: C03C10/00
• 分類號: C03C10/00;H01L31/0392
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司11212
• 代理人: 楊立,周玉婷

技術領域

本發明屬于太陽能及環保節能技術領域，尤其涉及一種高彈性模量玻璃陶瓷。

背景技術

目前，應用在襯底上的主要是無定形薄膜硅(a-Si)。在襯底上沉積無定形薄膜硅的方法所需的溫度通常為約450℃。與a-Si元件相比，在相應元件中使用多晶薄膜硅(poly-Si)會顯示某些絕對性優勢，多晶薄膜硅具有明顯更高的電子遷移率。例如，LCD的分辨率和反應速度會顯著提高。進而，這開創了所安裝的附加集成電路的板上(on-board)集成的新方法，如果是a-Si器件，則在LCD的邊緣上安裝，例如采用外加芯片的形式。在本領域中，多晶薄膜硅通過在襯底上的a-Si的再結晶而得到。原則上講，這種方法通過加熱硅層到使a-Si結晶的溫度而得以實現。

就此而言，低溫多晶薄膜硅與高溫多晶薄膜硅之間的差別是低溫多晶薄膜硅是通過局部加熱硅層至600℃而獲得，而高溫多晶薄膜硅是在約900℃的工藝溫度下形成的。為制造這種多晶薄膜硅制品，可以把整個元件加熱至相應溫度(HT多晶薄膜硅)，或者另外通過以相應的光柵圖案移動準分子激光器穿過表面(表面層)而在局部產生所需的溫度。由在后提及的方法制造的元件中的多晶薄膜硅通常是不均勻的。上述元件可能會表現出例如令人不滿意的所謂的“針點缺陷”。為了達到在高溫多晶薄膜硅情況下相同的集成度，低溫多晶薄膜硅元件必須被長時間處理，通常要超過20小時。

鑒于為獲得晶體管的高度集成而需要多種光刻工藝這一事實，多晶薄膜硅元件必須理所當然地要經受住再結晶循環的溫度，同時其幾何尺寸無顯著變化(收縮)，以避免在疊加層之間以及與接觸點之間的偏差(若有的話)。通常，收縮容許誤差僅是所實施的最小電路單元的橫向延伸的一部分；與整個襯底相比，通常限制其為50ppm。為避免在襯底和Si層之間的應力，兩種材料的熱膨脹系數必須相互配合，或必須相等。迄今為止，僅適用于多晶薄膜硅元件的多晶薄膜硅元件由無定形SiO₂(石英玻璃)組成，并且是復雜的和造價昂貴的。

發明內容

鑒于現有技術所存在的問題，本發明提供一種高彈性模量玻璃陶瓷，具有制備方法簡單、成本低廉好等優點。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種高彈性模量玻璃陶瓷，包括以下重量份的組分：SiO₂為20-60,B₂O₃為1-8，P₂O₅為10-30，Al₂O₃為25-35，MgO為1-8，CaO為5-10，Li₂O為10-20，ZrO₂為2-8，BaO為5-20，PBO為1-10，Bi₂O₃為10-20，As₂O₃為6-10、Bi₂O₃為5-10，V₂O₅為10-20。

進一步地，所述SiO₂為20重量份,B₂O₃為1重量份，P₂O₅為10重量份，Al₂O₃為25重量份，MgO為1重量份，CaO為5重量份，Li₂O為10重量份，ZrO₂為2重量份，BaO為5重量份，PBO為1重量份，Bi₂O₃為10重量份，As₂O₃為6重量份、Bi₂O₃為5重量份，V₂O₅為10重量份。