[發(fā)明專利]晶圓加工裝置及其加工方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711021766.8 | 申請日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN107871703A | 公開(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 田得暄;李瑞杰;辛君;吳龍江;林宗賢 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司11227 | 代理人: | 徐文欣,吳敏 |
| 地址: | 223302 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 裝置 及其 方法 | ||
1.一種晶圓加工裝置,其特征在于,包括:
吸盤,所述吸盤包括吸附板和背板,所述吸附板和背板圍成空腔,所述吸附板中具有氣孔,所述氣孔貫穿所述吸附板,且與所述空腔貫通;
第一管道,所述第一管道包括第一連接端和第二連接端,所述第一連接端與所述吸盤連接,且所述第一管道與所述空腔連通;
第二管道,所述第二管道與所述第二連接端連通,所述第二管道設置有第一閥門;
第三管道,所述第三管道與所述第二連接端連通,且所述第三管道與所述第一管道連通用于向所述空腔中通入釋放氣體,使所述晶圓與吸盤分離。
2.如權利要求1所述的晶圓加工裝置,其特征在于,所述第一閥門為氣動閥、電動閥或手動閥。
3.如權利要求1所述的晶圓加工裝置,其特征在于,所述第一閥門為常開閥。
4.如權利要求1所述的晶圓加工裝置,其特征在于,所述第二管道設置有第二閥門。
5.如權利要求4所述的晶圓加工裝置,其特征在于,所述第二閥門為氣動閥、電動閥或手動閥;所述第二閥門為常閉閥。
6.如權利要求4所述的晶圓加工裝置,其特征在于,所述第一閥門包括第一控制端,所述第一控制端用于控制所述第一閥門的開啟和關閉;所述第二閥門包括第二控制端,所述第二控制端用于控制所述第二閥門的開啟和關閉。
7.如權利要求6所述的晶圓加工裝置,其特征在于,所述第一控制端和所述第二控制端連接。
8.如權利要求7所述的晶圓加工裝置,其特征在于,所述第一閥門為氣動閥,所述第二閥門為氣動閥,所述加工裝置還包括:分別與所述第一控制端和第二控制端連通的連接管道;
或者,所述第一閥門為電動閥,所述第二閥門為電動閥,所述第一控制端和第二控制端電連接。
9.一種晶圓加工方法,其特征在于,包括:
提供晶圓;
提供如權利要求1至8所述的晶圓加工裝置;
使所述晶圓與所述吸附板相互吸附;
使所述晶圓與所述吸附板相互吸附之后,對所述晶圓進行加工處理;
所述加工處理之后,通過所述第三管道向所述空腔中通入釋放氣體,使所述晶圓與吸盤分離;
向所述空腔中通入釋放氣體之前或向所述空腔中通入釋放氣體的過程中,關閉所述第一閥門。
10.如權利要求9所述的晶圓加工方法,其特征在于,當所述第三管道設置有第二閥門時,所述加工處理之后,向所述空腔中通入釋放氣體之前,開啟所述第二閥門。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





