[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711021650.4
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107887487B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李波;楊凱;鄒微微;徐洲;張雙翔
• 申請（專利權(quán)）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括：

外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括GaAs襯底、DBR層、N限制層、有源層、P限制層、電流擴展層、粗化層以及歐姆接觸層，所述粗化層以及所述歐姆接觸層開設(shè)有溝槽，所述溝槽在第一預(yù)設(shè)方向上的深度小于所述粗化層以及所述歐姆接觸層的厚度之和；

金屬擴展電極，設(shè)置在所述外延結(jié)構(gòu)的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括：

SOG填充物，所述SOG填充物填充在所述溝槽中，以使所述SOG填充物在預(yù)設(shè)工序中去除。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

所述外延結(jié)構(gòu)中的所述溝槽為側(cè)壁以及底部經(jīng)過粗化處理的溝槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述溝槽在所述GaAs襯底上的投影形狀包括矩形、三角形以及圓形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括：

電極，所述電極設(shè)置在所述金屬擴展電極表面，且，所述溝槽對稱分布在所述電極的兩側(cè)。

6.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括：

提供外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括GaAs襯底、DBR層、N限制層、有源層、P限制層、電流擴展層、粗化層以及歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上制作預(yù)設(shè)厚度的金屬擴展電極層；

在所述金屬擴展電極層上形成預(yù)設(shè)溝槽圖形；

在所述歐姆接觸層以及所述粗化層開設(shè)溝槽，所述溝槽在第一預(yù)設(shè)方向上的深度小于所述粗化層以及所述歐姆接觸層的厚度之和；

在所述外延結(jié)構(gòu)上形成金屬擴展電極以及金屬焊盤；

在所述外延結(jié)構(gòu)上形成背電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，在所述歐姆接觸層以及所述粗化層開設(shè)溝槽之后，還包括：

在所述溝槽的表面旋涂SOG填充物，進行固化；

相應(yīng)的，在所述外延結(jié)構(gòu)上形成金屬擴展電極以及金屬焊盤之后，還包括：

去除所述SOG填充物。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，在所述歐姆接觸層以及所述粗化層開設(shè)溝槽之后，還包括：

對當前外延結(jié)構(gòu)的粗化層中的溝槽進行粗化處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述在所述歐姆接觸層以及所述粗化層開設(shè)溝槽，包括：

基于預(yù)設(shè)溝槽圖形，對所述外延結(jié)構(gòu)刻蝕預(yù)設(shè)時間，得到具有預(yù)設(shè)深度的溝槽的目標外延結(jié)構(gòu)；

對所述目標外延結(jié)構(gòu)的粗化層進行預(yù)設(shè)深度的刻蝕，使得所述溝槽在所述粗化層的深度小于所述粗化層的厚度。