[發(fā)明專利]低頻低介電損耗的AgNb共摻二氧化鈦基介電陶瓷材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711021284.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107640970B | 公開（公告）日： | 2019-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊祖培;彭惠;梁朋飛;晁小練 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 陜西師范大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01B3/12 | 分類號(hào)： | H01B3/12;C04B35/46;C04B35/622 |
| 代理公司： | 61201 西安永生專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 高雪霞<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入 |
| 地址： | 710062 *** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 低頻 低介電 損耗 agnb 共摻二 氧化 鈦基介電 陶瓷材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種低頻低介電損耗的AgNb共摻二氧化鈦基介電陶瓷材料，其特征在于：該陶瓷材料的通式為(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2，其中x的取值為0.005～0.01；該陶瓷材料由下述方法制備得到：
（1）按照(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2的化學(xué)計(jì)量分別稱取純度為99.5%以上的原料Ag2O、Nb2O5和TiO2，充分混合球磨16～24小時(shí)，在80～100℃下干燥12～24小時(shí)，得到原料混合物；
（2）將原料混合物在1000～1200℃預(yù)燒2～4小時(shí)，得到預(yù)燒粉；
（3）將預(yù)燒粉經(jīng)二次球磨、造粒、壓片、排膠后，在1400～1450℃燒結(jié)5～10小時(shí)， 得到低頻低介電損耗的AgNb共摻二氧化鈦基介電陶瓷材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻低介電損耗的AgNb共摻二氧化鈦基介電陶瓷材料，其特征在于：在步驟（2）中，將原料混合物在1100℃預(yù)燒3小時(shí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻低介電損耗的AgNb共摻二氧化鈦基介電陶瓷材料，其特征在于：在步驟（3）中，將預(yù)燒粉經(jīng)二次球磨、造粒、壓片、排膠后，在1450℃燒結(jié)10小時(shí)。
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